Le panneau TOPCon de 770 W de Tongwei atteint un taux de bifacialité de 93,08 %, un record mondial
2026-07-19 16:24
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Selon Dimension Network, le fabricant chinois de polysilicium et de modules photovoltaïques Tongwei a annoncé que son module de 770 W basé sur la technologie de contact passivé par couche d'oxyde tunnel (TOPCon) a atteint un taux de bifacialité de 93,08 %. Ce résultat établit un record mondial pour la technologie bifaciale et a été certifié par l'organisme allemand TÜV Rheinland.

Le module affiche un rendement de conversion de puissance de 24,8 % et un coefficient de température de -0,26 %/°C. Tongwei a déclaré dans un communiqué qu'un taux de bifacialité plus élevé permet au module de produire davantage d'électricité sur sa face arrière, offrant ainsi un gain énergétique supplémentaire. Prenant l'exemple d'une centrale solaire de 100 MW à Hambourg, en Allemagne, cette configuration générerait un revenu supplémentaire de 180 000 euros (205 844 dollars américains) par an par rapport à un module standard, et produirait 81,62 millions de kWh d'électricité propre supplémentaires sur la durée de vie de la centrale.

En juillet 2025, Tongwei avait annoncé un taux de bifacialité de 91,7 % sur un module TOPCon de 722 W. À l'époque, l'entreprise avait indiqué qu'atteindre un taux de bifacialité de 95 % sur les cellules et de 90 % sur les modules en production de masse constituait un défi majeur, mais qu'elle espérait y parvenir d'ici un à deux ans. Ce résultat a été obtenu grâce à des cellules TOPCon présentant un taux de bifacialité de 94,3 %.

Les chercheurs de l'entreprise expliquent que cette avancée est due à deux innovations dans la conception des cellules : la « estructura selectiva de pirámides hundidas » (structure sélective de pyramides enfoncées) et le « contacto de pasivación con patrón de paso de cebra » (contact de passivation à motif de pas de zèbre). La première optimise la texture de la face arrière dans les zones sans électrode, tandis que la seconde améliore l'effet de passivation du contact passivé de type n à base de polysilicium et d'oxyde de silicium (SiOx). Aucun détail supplémentaire sur cette avancée technique n'a encore été divulgué.

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