|
Matériau de substrat |
Tranche de silicium monocristallin de type N dopé au phosphore |
|
Épaisseur |
130±10%μm |
|
Taille |
210mm*210mm±0,25mm,φ295mm±0,25mm |
|
Face avant |
18 lignes de busbar principales, 188 ± 10 % lignes de busbar secondaires, film antireflet bleu (nitrure de silicium) |
|
Face arrière |
18 lignes de busbar principales, 192 ± 10 % lignes de busbar secondaires, film antireflet bleu (nitrure de silicium) |
1/1
Cellule bifaciale N-type TOPCon HG210N
Demander un devis
Chine
Bâtiment 72, parc industriel Jinrun, quartier Gaoxin, bourg de Gaochang, district de Xuzhou, ville de Yibin, province du Sichuan
+86 13925933306
13925933306
lianxy@sunsyncgroup.com
Présentation
Produits Associés
Batterie monocristalline TOPCon de type N 182-16BB
Demander un devis
Projet de production d’énergie photovoltaïque complémentaire pêche-énergie solaire de 200 MW dans le bourg de Hou, ville de Shouguang, avec State Power Investment Corporation Limited
Demander un devis
Huile pour engrenages industriels
Demander un devis
Série Mars (refroidissement liquide) – Module haute protection pour onduleur de stockage d’énergie commercial et industriel
Demander un devis
7 MESS8201-2507/5015-BN Cabine de batterie de stockage d'énergie à refroidissement liquide de type préfabriqué
Demander un devis
Instrument de mesure électrique multifonctionnel numérique
Demander un devis
Ensemble de barre de cuivre d'adaptateur de sortie MCU
Demander un devis
Série CD/RD-620 Terminal de conductivité sans fil
Demander un devis
Réservoir de stockage de liquide cryogénique d'hydrogène liquide
Demander un devis
Réacteur PGA
Demander un devis
Contrôleur d'alarme à gaz AEC2301a
Demander un devis
Commutateur de prises en charge CM 1
Demander un devis