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Matériau de substrat |
Tranche de silicium monocristallin de type N dopé au phosphore |
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Épaisseur |
130±10%μm |
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Taille |
210mm*210mm±0,25mm,φ295mm±0,25mm |
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Face avant |
18 lignes de busbar principales, 188 ± 10 % lignes de busbar secondaires, film antireflet bleu (nitrure de silicium) |
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Face arrière |
18 lignes de busbar principales, 192 ± 10 % lignes de busbar secondaires, film antireflet bleu (nitrure de silicium) |
1/1
Cellule bifaciale N-type TOPCon HG210N
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Chine
Bâtiment 72, parc industriel Jinrun, quartier Gaoxin, bourg de Gaochang, district de Xuzhou, ville de Yibin, province du Sichuan
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