fr.wedoany.com Rapport : United Monolithic Semiconductors (UMS) présente l’amplificateur de puissance à trois étages CHA8265-98F, conçu pour fonctionner dans la bande de fréquences de 27,5 GHz à 31 GHz. Ce composant est destiné aux communications par satellite en bande Ka, aux infrastructures 5G et à d’autres systèmes micro-ondes nécessitant une puissance de sortie et un rendement élevés.

Cet amplificateur offre une puissance de sortie saturée typique de 25 W avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) d’environ 30 % lorsqu’il fonctionne sous une tension de drain de 25 V. En régime linéaire, il fournit une puissance de sortie de 10 W avec une distorsion d’intermodulation du troisième ordre de -25 dBc, tout en maintenant un PAE supérieur à 25 %. Selon UMS, le composant prend en charge une plage de polarisation de drain de 18 V à 25 V, permettant d’obtenir une puissance de sortie saturée de 15 W à 25 W en fonction de la tension de fonctionnement.

Le CHA8265-98F est fabriqué à l’aide de la technologie HEMT GaN-sur-SiC, un procédé semi-conducteur couramment utilisé pour les applications RF à haute fréquence et haute puissance. Ce composant est fourni sous forme de puce nue, avec une adaptation d’impédance d’entrée et de sortie à 50 Ω, facilitant son intégration dans diverses conceptions de systèmes micro-ondes.

Selon UMS, cet amplificateur est conçu pour les terminaux de communication par satellite, les équipements radio 5G et d’autres plates-formes micro-ondes nécessitant une puissance de sortie élevée dans le spectre de la bande Ka. Sa combinaison de puissance de sortie, de rendement et de largeur de bande de fonctionnement vise à soutenir les concepteurs de systèmes dans le développement d’équipements de communication sans fil et par satellite de nouvelle génération.