L'équipe de recherche de l'Université des sciences et technologies du Roi Abdallah (KAUST) en Arabie saoudite a réalisé une avancée significative dans le domaine de la conception de micro-puces, en développant avec succès la première micro-puce CMOS hybride (semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire) à six couches pour les dispositifs électroniques de grande surface.

Dans la technologie des micro-puces, les puces CMOS sont des composants essentiels des produits électroniques, largement utilisés dans les téléphones portables, les téléviseurs, les satellites et les équipements médicaux. Par rapport aux puces en silicium traditionnelles, les micro-puces CMOS hybrides offrent des perspectives d'application plus vastes pour les produits électroniques de grande surface. Avec la miniaturisation des appareils électroniques, qui stimule le développement de l'électronique flexible, de la santé intelligente et de l'Internet des objets, les méthodes de conception traditionnelles atteignent leurs limites de performance. L'émergence des puces CMOS hybrides à six couches offre une nouvelle solution à l'industrie.

« L'industrie des semi-conducteurs s'efforce depuis longtemps de réduire la taille des transistors pour augmenter la densité d'intégration, mais elle est aujourd'hui confrontée à une double contrainte : les limites de la mécanique quantique et l'envolée des coûts », explique le professeur adjoint Xiaohang Li, qui dirige cette recherche à KAUST. « L'empilement vertical des transistors devient une direction clé pour surmonter les contraintes de la mise à l'échelle planaire. » Il souligne que l'équipe de KAUST a optimisé le processus de fabrication en maintenant la température en dessous de 150 °C, avec la plupart des étapes proches de la température ambiante, tout en améliorant significativement la planéité des surfaces des couches et la précision de l'alignement, jetant ainsi les bases d'une extension verticale et d'une augmentation de la densité fonctionnelle.