fr.wedoany.com Rapport : Le fournisseur de matériaux semi-conducteurs IQE et le fondeur Tower Semiconductor ont signé un accord pluriannuel pour développer conjointement des solutions de connexion optique basées sur la technologie du phosphure d'indium (InP), afin de soutenir les infrastructures de centres de données IA destinées aux applications industrielles.
Cet accord se concentre sur la fourniture de plaques épitaxiées en InP. IQE fournira des plaques épitaxiées pour plusieurs plateformes de photonique sur silicium de Tower, soutenant les technologies optiques conçues pour les environnements IA haute performance, utilisées dans les usines intelligentes et les systèmes de fabrication avancés.
Le champ de la coopération couvre les technologies de production capables de prendre en charge des émetteurs-récepteurs enfichables à 200 Gb/s par canal, et prévoit le développement de modulateurs futurs à 400 Gb/s par canal. L'accord concerne également les applications de commutation de circuits optiques, une technologie qui suscite l'intérêt car elle permet aux opérateurs de gérer plus efficacement le trafic interne des grands centres de données IA au service de l'industrie manufacturière.
Avec le déploiement croissant de l'IA dans le secteur industriel, l'infrastructure réseau devient un goulot d'étranglement critique. Les composants optiques utilisés pour le transfert de données entre systèmes attirent de nouveaux investissements à tous les niveaux de la chaîne d'approvisionnement. Cet accord consolide la position d'IQE sur le marché des infrastructures IA et cloud soutenant la numérisation de l'industrie manufacturière.
Jutta Meier, PDG d'IQE, a déclaré être ravie de collaborer avec Tower, déjà leader dans le domaine de la photonique sur silicium. Cet accord renforce la position d'IQE sur le marché mondial des infrastructures cloud et IA de premier plan. Forte de plusieurs décennies d'expérience dans la technologie épitaxiale InP et d'une capacité de fabrication mature à grande échelle, IQE est prête à accompagner les applications de connexion optique de nouvelle génération, de l'innovation au déploiement commercial.
L'IA stimule la concurrence pour des puces plus puissantes, mais l'infrastructure reliant ces processeurs est tout aussi importante. Lorsque les opérateurs hyperscale construisent des clusters IA plus grands, le déplacement de quantités massives de données entre serveurs, commutateurs et systèmes de stockage constitue un défi majeur. La technologie des réseaux optiques est considérée comme une solution, car elle permet aux centres de données d'augmenter la bande passante tout en gérant la consommation d'énergie et la latence.
La collaboration combine l'expertise d'IQE dans les matériaux semi-conducteurs composés avec la capacité de fabrication éprouvée de Tower en photonique sur silicium. La photonique sur silicium utilise des procédés de fabrication de semi-conducteurs pour intégrer des composants de communication optique, ce qui contribue à améliorer les performances et à soutenir la production à grande échelle. Tower a indiqué que l'ajout de composants à base d'InP à sa plateforme de photonique sur silicium contribuerait à répondre aux exigences de performance des futures infrastructures IA.
Le Dr Marco Racanelli, président de Tower Semiconductor, a déclaré être ravi de collaborer avec IQE, qui devient un fournisseur clé pour sa prochaine génération de technologies photoniques, ajoutant des composants InP hautes performances à une plateforme de photonique sur silicium mature et à grand volume.
Outre l'accord de fourniture, les deux parties ont également résolu un litige de propriété intellectuelle. Dans le cadre d'un arrangement distinct, Tower accordera à IQE une licence mondiale libre de redevances couvrant les brevets sur le silicium poreux qui faisaient l'objet de poursuites entre les deux sociétés. Ce règlement élimine un obstacle potentiel, permettant aux deux entreprises de se concentrer sur l'expansion de leur rôle sur le marché en pleine croissance de l'IA.
