Inauguration du centre de R&D en semi-conducteurs d'Applied Materials aux États-Unis, d'un montant de 5 milliards de dollars

fr.wedoany.com Rapport : Le 12 octobre, Applied Materials a officiellement inauguré l'Equipment and Process Innovation and Commercialization Center (EPIC Center) à Sunnyvale, dans l'État de Californie aux États-Unis. Le centre prévoit d'investir progressivement environ 5 milliards de dollars au fur et à mesure du lancement des projets de R&D des clients, afin de construire des installations de R&D collaboratives dédiées aux matériaux, équipements de fabrication et technologies de processus de nouvelle génération pour les semi-conducteurs. TSMC, Intel, SK hynix, Micron et Samsung Electronics figurent parmi les partenaires fondateurs.

L'EPIC Center a une superficie d'environ 600 000 pieds carrés (environ 55 700 mètres carrés) et abrite une salle blanche avancée de près de 4 acres (environ 16 200 mètres carrés). La construction des installations a mobilisé cumulativement plus de 6 millions d'heures de travail ; le toit de la salle blanche est constitué de 34 grandes fermes, chacune d'une portée d'environ 300 pieds (environ 91 mètres). Applied Materials positionne cette installation comme le plus grand centre mondial de R&D collaborative en technologies de processus et équipements de fabrication de semi-conducteurs.

Le centre intègre la recherche sur les matériaux semi-conducteurs, le développement d'équipements, l'intégration des processus et la validation de fabrication dans une même installation de R&D, en adoptant une approche de développement parallèle, les fabricants de puces et les équipes d'ingénierie d'Applied Materials optimisant conjointement les matériaux, les équipements et les processus de fabrication. Les travaux de R&D concernent les procédés logiques de pointe, les structures de transistors tridimensionnels, l'interconnexion avancée, les mémoires et les technologies d'encapsulation avancée, et couvrent les étapes de validation technologique, depuis la R&D précoce jusqu'à l'introduction en fabrication à grande échelle.

Parmi les entreprises participant à l'EPIC Center figurent également les partenaires d'innovation Broadcom, Advantest, SCREEN, KIOXIA et Besi. Les partenaires de recherche incluent l'Arizona State University, le Rensselaer Polytechnic Institute, l'Université Stanford, l'UC Berkeley et la UCLA Samueli School of Engineering. Chaque partenaire affectera des chercheurs à des projets conjoints en fonction de sa propre feuille de route technologique.

Conformément aux accords de collaboration publiés, TSMC se concentre sur la recherche sur les matériaux pour dispositifs logiques de nouvelle génération, les transistors tridimensionnels et les processus d'interconnexion ; SK hynix mène des travaux de R&D conjoints autour des technologies de mémoire HBM, DRAM et NAND ; Samsung Electronics participe au développement des procédés logiques avancés, des futures architectures de mémoire et des technologies d'intégration tridimensionnelle. Le centre élargira progressivement ses investissements en capital et son périmètre de collaboration au fur et à mesure de l'avancement des projets de R&D des clients.