Récemment, une équipe de recherche a réussi à développer la première puce intégrant des matériaux bidimensionnels à des circuits en silicium. Ce travail, réalisé par une équipe conjointe de plusieurs universités, a été publié dans une revue académique.

Les matériaux bidimensionnels attirent l’attention du monde académique en raison de leurs propriétés électriques uniques. Leur intégration avec les procédés de silicium matures pourrait améliorer les performances globales des puces. L’équipe de recherche a réalisé une intégration efficace des matériaux bidimensionnels sur des tranches de silicium grâce à un procédé innovant.

Des chercheurs de l’Université de Yale ont déclaré : « Cette technologie ouvre une nouvelle voie pour l’intégration hétérogène. » Les techniques de transfert et de liaison développées par l’équipe ont résolu les problèmes de connexion à l’interface entre les matériaux bidimensionnels et les circuits en silicium, garantissant la stabilité des dispositifs.

Au cours du processus de fabrication, les chercheurs ont utilisé un procédé à basse température pour éviter d’endommager les matériaux bidimensionnels. Les tests montrent que cette puce présente des caractéristiques améliorées en termes d’efficacité énergétique. Cette technologie d’intégration de matériaux bidimensionnels sur base de silicium pose les bases pour le développement de nouveaux dispositifs semi-conducteurs.