Technologie HPBC 2.0 : Wafer TaiRui + Technologie HPBC 2.0 - Efficacité maximale de 27%, une percée définitive de 1% d'efficacité absolue pour les cellules en silicium de qualité produit.
Insensible aux hautes températures : Coefficient de température de puissance de -0.26%/°C - Performance de production d'électricité supérieure à haute température.
Résistant à l'ombrage & Anti-surchauffe locale : Insensible à l'ombrage, perte de puissance réduite. Prévention des surchauffes locales, élimination des risques d'incendie.
Technologie OBB : Structure OBB innovante - Pas de lignes de grille sur la face avant, pas de busbars principaux au verso.
