SK Hynix étudie un approfondissement de sa coopération NAND avec Kioxia au Japon

fr.wedoany.com Rapport : Le 27 août, le PDG de SK Hynix, Kwak Noh-jung, a déclaré à West Lafayette, dans l'Indiana, aux États-Unis, que l'entreprise étudiait un approfondissement de sa coopération avec le japonais Kioxia et évaluait prudemment comment étendre le marché de la mémoire flash NAND avec ses clients et fournisseurs. Concernant les arrangements relatifs aux participations de SK Hynix dans Kioxia, Kwak Noh-jung a indiqué qu'« aucun plan définitif » n'était arrêté et que l'entreprise n'avait pas encore déterminé sa stratégie de détention d'actions ultérieure.

SK Hynix et Kioxia entretiennent actuellement une relation capitalistique indirecte. Selon les documents annuels de Kioxia, au 31 mars 2026, BCPE Pangea Cayman2 détenait 77,4 millions d'actions de Kioxia, soit 14,17 % des actions ordinaires émises. SK Hynix détient des obligations convertibles en actions conférant la quasi-totalité des droits de vote de BCPE Pangea Cayman2 ; conformément à l'accord entre les deux parties, SK Hynix ne peut détenir plus de 15 % des droits de vote totaux de Kioxia avant 2028 sans le consentement de cette dernière. Au 31 mars 2026, les obligations concernées n'avaient pas encore été converties.

Le 10 août, Kioxia a confirmé que BCPE Pangea Cayman2 était devenu son premier actionnaire. Au 3 août, cette entité détenait toujours 77,4 millions d'actions, correspondant à 14,19 % des droits de vote ; la participation de Toshiba est tombée à 77 038 200 actions, soit 14,12 % des droits de vote, rétrogradant de premier à deuxième actionnaire. Le nombre d'actions détenues par BCPE Pangea Cayman2 avant et après ce changement d'ordre actionnarial est resté identique, à 77,4 millions d'actions.

Le jour de ces déclarations de Kwak Noh-jung, Kioxia et Sandisk ont dévoilé un nouveau plan d'investissement dans la mémoire flash au Japon. Les deux parties prévoient d'investir plus de 31 milliards de dollars, soit environ 5 000 milliards de yens, d'ici 2032. Ces fonds seront alloués aux usines de Yokkaichi et de Kitakami, ainsi qu'aux infrastructures et technologies associées, l'investissement étant conditionné à l'obtention d'un soutien gouvernemental. En janvier dernier, les deux parties avaient déjà prolongé le cadre de leur coentreprise à Yokkaichi jusqu'en décembre 2034, la coopération couvrant le développement et la fabrication conjoints de wafers de mémoire flash.

Le même jour, Kioxia a lancé les travaux de préparation du site et les opérations connexes pour la construction de l'usine Fab3 à Kitakami, dans la préfecture d'Iwate. Fab3, située au sud de l'actuelle Fab2, est destinée à produire la mémoire flash 3D avancée BiCS FLASH, avec un objectif de mise en service au cours de l'exercice 2029. Le calendrier précis de construction et les plans d'investissement en équipements seront déterminés en fonction des conditions du marché, ces plans d'investissement étant également conditionnés au soutien du gouvernement.