Fudan développe une puce de mémoire flash à architecture hybride 2D-silicium

L’Université Fudan a réalisé une avancée majeure dans l’ingénierie des dispositifs électroniques 2D. L’équipe de Peng Zhou et Chunsen Liu, du Laboratoire national clé des circuits intégrés et de l’Institut d’innovation en microélectronique et nanoélectronique, a développé l’architecture Changying (CY-01), intégrant de manière poussée des dispositifs de mémoire flash ultrarapide 2D « Poxiao (PoX) » avec des procédés CMOS à base de silicium matures, créant ainsi la première puce à architecture hybride 2D-silicium au monde.

Grâce aux résultats de recherche et aux travaux d’intégration précédemment réalisés, cette puce a été fabriquée avec succès. L’équipe prévoit maintenant d’établir une base expérimentale et de collaborer avec des institutions pertinentes pour lancer un projet d’ingénierie autonome.