Des chercheurs de l'Université technique de Vienne ont réussi pour la première fois à fabriquer des transistors en silicium-germanium (SiGe) à l'aide d'une méthode alternative. Cette avancée permet non seulement de réduire la taille des transistors à l'avenir, mais offre également des caractéristiques de vitesse accrue, de consommation d'énergie réduite et de fonctionnement à très basse température, ce qui est d'une importance capitale pour le développement des puces quantiques.

Auparavant, les composants électroniques étaient principalement basés sur des matériaux semi-conducteurs dopés, où l'ajout d'atomes étrangers modifiait les propriétés électroniques du matériau, un procédé constituant l'une des pierres angulaires de la microélectronique moderne. Cependant, avec l'apparition des composants à l'échelle nanométrique, les méthodes de dopage traditionnelles rencontrent des défis : plus les transistors sont petits, plus les fluctuations aléatoires du dopage ont un impact important, et la sensibilité à la température devient également problématique. À des températures trop basses, les porteurs de charge dans les composants électroniques ne peuvent pas se déplacer efficacement, ce qui entrave l'intégration des transistors électroniques classiques avec les qubits dans les applications d'informatique quantique.

Pour résoudre ces problèmes, le professeur Walter Weber, responsable du groupe de recherche sur les nano-composants électroniques à l'Université technique de Vienne, a présenté une nouvelle forme de dopage, appelée dopage par acceptation modulée. Cette technique ne dope pas directement le cristal semi-conducteur lui-même, mais dope la couche d'oxyde des matériaux semi-conducteurs isolants. En ajustant les propriétés du semi-conducteur par couplage à distance, la couche d'oxyde améliore la conductivité du semi-conducteur sans nécessiter l'introduction d'atomes étrangers dans le cristal.

L'équipe de recherche de l'Université technique de Vienne, en collaboration avec l'Académie de Freiberg et l'Université Johannes Kepler de Linz, a démontré pour la première fois cet effet sur le silicium-germanium et a produit des transistors SiGe fonctionnels.