fr.wedoany.com Rapport : SemiQ Inc a élargi sa gamme de modules de pont semi-intégré QSiC™ Dual3 à MOSFET, en y ajoutant de nouvelles options à hautes performances thermiques utilisant un substrat en nitrure d’aluminium (AlN) et un matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué, ainsi que des composants de 1700 V. Cette série est destinée aux convertisseurs AC-DC et aux transformateurs à état solide (SST) dans les systèmes d’alimentation des centres de données IA, aux convertisseurs de réseau dans les systèmes de stockage d’énergie, ainsi qu’aux entraînements de moteurs industriels.
Ces modules permettent de construire des convertisseurs de puissance offrant un rendement et une densité de puissance de pointe dans l’industrie. La série comprend des composants avec des diodes Schottky à barrière (SBD) optionnelles en parallèle, destinées à réduire les pertes de commutation et à améliorer l’efficacité à haute température. Certains composants présentent une résistance à l’état passant (RDSon) aussi faible que 1 mΩ, avec des niveaux de puissance de 1150 A et 1200 V, dans un boîtier de 62 x 152 mm.
Ces modules sont conçus pour remplacer directement les modules IGBT sans nécessiter de reconception majeure. Toutes les puces MOSFET sont soumises à un test de vieillissement de la couche d’oxyde de grille au niveau de la tranche à plus de 1450 V. Les modules présentent une faible résistance thermique de jonction à boîtier, permettant l’utilisation de dissipateurs thermiques plus petits et plus légers, simplifiant ainsi la conception du système.
Le Dr Timothy Han, président de SemiQ, a déclaré que les centres de données nécessitent un fonctionnement continu 24 heures sur 24, et qu’il est essentiel de maximiser l’efficacité. Cette série, avec sa conception flexible et sa densité de puissance de pointe, prend en charge les fronts actifs et les entraîneurs de compresseurs dans les applications de refroidissement liquide, réduisant la taille et le poids par rapport aux solutions traditionnelles en silicium IGBT, tout en offrant toute l’efficacité du SiC.
Le Dr Timothy Han a ajouté qu’avec les nouvelles options à hautes performances thermiques, ces modules sont également intégrés dans les convertisseurs d’alimentation AC-DC principaux et les SST. Cela permet une conversion directe de la moyenne tension de 13,8 kV ou 35 kV AC en haute tension de 800 V DC, répondant aux besoins de fonctionnement ultra-efficace des systèmes d’alimentation des centres de données modernes.
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