fr.wedoany.com Rapport : Le 2 juillet, heure locale, SanDisk a annoncé le début de l’échantillonnage de sa technologie de mémoire flash 3D NAND de 10e génération, le BiCS10 1Tb TLC. Ce produit porte le nombre de couches de stockage à 332 et intègre les protocoles Toggle DDR6.0, SCA et la technologie PI-LTT, répondant aux besoins de stockage de données à haute vitesse, faible consommation et haute densité.
Le BiCS10 1Tb TLC prolonge l’architecture NAND 3D BiCS de SanDisk et utilise la technologie de liaison de tranches CBA, qui fabrique séparément la logique CMOS et la matrice de stockage avant de les assembler par liaison précise de tranche à tranche. Cela permet d’augmenter la densité de stockage dans une surface de puce limitée, tout en laissant de la marge pour la vitesse d’interface, le contrôle de la consommation et l’efficacité des E/S. Selon les données publiées par SanDisk, la densité de stockage du BiCS10 TLC dépasse 29 Gb/mm², soit une amélioration de 59 % par rapport à la mémoire flash 3D de 8e génération actuellement en production ; la vitesse d’interface NAND atteint jusqu’à 4,8 Gb/s, soit une augmentation de 33 %. Pour les SSD, le stockage d’entreprise et les équipements de données à haut débit, une vitesse d’interface plus élevée signifie une meilleure capacité de transfert de données entre les puces flash et le contrôleur, mais cela nécessite également une adaptation avec le contrôleur, le firmware, l’architecture des canaux et les solutions d’encapsulation pour se traduire en performances globales du disque.
L’empilement de 332 couches montre que la technologie 3D NAND continue de progresser vers un nombre de couches et une densité plus élevés. L’augmentation du nombre de couches impose de relever des défis de fabrication tels que la gravure de trous profonds, le dépôt de couches minces, la cohérence entre les couches, le contrôle du rendement et la validation de la fiabilité, la difficulté technique ne se limitant pas à empiler plus haut.
SanDisk a également mis en avant les technologies Toggle DDR6.0, le protocole SCA et la technologie PI-LTT. Toggle DDR6.0 améliore la capacité de transmission de l’interface NAND, tandis que le protocole SCA sépare le bus d’entrée des commandes/adresses du bus de transfert de données, permettant aux deux types de signaux de fonctionner en parallèle, réduisant ainsi le temps d’entrée/sortie des données. PI-LTT, quant à elle, utilise à la fois l’alimentation 1,2 V existante et une alimentation basse tension supplémentaire dans l’alimentation de l’interface NAND pour réduire la consommation d’énergie lors des entrées/sorties de données. Selon les données officielles, par rapport au BiCS8, la consommation d’énergie en entrée de données du BiCS10 TLC est réduite de 10 %, et celle en sortie de 34 %. Ces améliorations affecteront l’efficacité énergétique des appareils mobiles, des SSD clients, des SSD d’entreprise et du stockage dans les centres de données, en particulier dans un contexte de croissance mixte des ensembles de données IA, des contenus vidéo, des données de journal et des données chaudes/froides dans le cloud, où les dispositifs de stockage doivent concilier capacité, débit, consommation et stabilité à long terme.
Une fois le BiCS10 1Tb TLC entré en phase d’échantillonnage, les clients en aval devront poursuivre les travaux d’adaptation du contrôleur, d’optimisation du firmware, de conception de l’encapsulation, de validation du système et de tests de fiabilité. Le passage des puces NAND de l’échantillon à la production à grande échelle dans les produits finaux implique généralement la validation client, la certification de plateforme, la montée en cadence de la production et la combinaison de différentes capacités et modèles. SanDisk n’a pas lancé de nouveau SSD final, mais une mise à jour de la technologie de mémoire flash sous-jacente ; cela influencera à terme l’espace de conception des SSD grand public, des SSD d’entreprise, du stockage embarqué, du stockage dans les centres de données et des produits de mémoire flash à haute capacité. Avec l’expansion des charges de travail pilotées par l’IA, la lecture des données, le stockage des paramètres de modèles, la gestion des échantillons d’entraînement et les journaux d’inférence continueront d’augmenter, et les améliorations de densité, de vitesse d’interface et d’efficacité énergétique de la mémoire 3D NAND continueront d’entrer dans les critères de sélection des systèmes de stockage.
