fr.wedoany.com Rapport : Intel Foundry a commencé à utiliser la technologie de lithographie à haute ouverture numérique et ultraviolet extrême (High NA EUV) d'ASML pour produire en série certains processeurs Panther Lake, à savoir les produits de la série Intel Core Ultra 3. Il s'agit de la première utilisation commerciale de la technologie High NA EUV pour des expéditions de puces logiques à haut volume. Cette production cible des couches spécifiques du procédé Intel 18A, en utilisant la plateforme EXE High NA EUV d'ASML. Intel indique que ces couches de procédé sont désormais doublement certifiées sur les deux plateformes High NA EUV et NXE EUV standard, que les produits ont été livrés aux clients et que le rendement est essentiellement identique à celui obtenu avec la plateforme NXE.
Il s'agit de la première fois que la technologie de lithographie High NA EUV d'ASML dépasse les phases de recherche et développement et de production pilote pour entrer dans un environnement de production en série. Selon Intel et ASML, l'application initiale se concentre uniquement sur des couches spécifiques du procédé 18A. Cette approche permet aux deux parties de collecter des données réelles sur la disponibilité des systèmes, le contrôle des procédés et l'exécution de la production, tout en maintenant la flexibilité globale de fabrication. En certifiant simultanément les deux plateformes NXE et EXE sur la même couche de procédé, Intel peut à la fois augmenter sa capacité de production et se réserver des options technologiques pour les futurs nœuds.
En 2024, Intel a installé le premier équipement High NA EUV commercial au monde sur son site de recherche et développement à Hillsboro, dans l'Oregon, et est ensuite devenu le premier client à recevoir la deuxième génération de la plateforme TWINSCAN EXE:5200B d'ASML. Par rapport à l'EXE:5000 de première génération, l'EXE:5200B offre des améliorations en termes de débit, de précision d'alignement et de performance de la source lumineuse. ASML positionne le High NA EUV comme la prochaine technologie clé dans le domaine de la lithographie des semi-conducteurs, qui devrait soutenir la gravure de motifs plus fins nécessaires aux futurs processeurs d'intelligence artificielle et autres puces avancées.
Actuellement, Intel Foundry utilise l'équipement High NA EUV d'ASML pour la fabrication à haut volume de certains processeurs Panther Lake sélectionnés, sur la base de couches spécifiques du procédé Intel 18A. Intel rapporte que son rendement est comparable à celui des niveaux de production utilisant les outils NXE EUV standard, et que les couches du procédé 18A ont simultanément obtenu une double certification sur les plateformes High NA EXE et NXE. Intel confirme que les produits fabriqués avec le High NA EUV sont en cours d'expédition aux clients, ce déploiement utilisant la plateforme EXE High NA EUV d'ASML. Auparavant, Intel avait installé le premier équipement EXE:5000 commercial de l'industrie, puis avait accueilli le premier système de production EXE:5200B. L'EXE:5200B présente des améliorations en termes de débit, de précision d'alignement et de performance de la source lumineuse. Intel et ASML indiquent qu'ils continueront d'évaluer la possibilité d'une utilisation plus large du High NA EUV dans les futurs nœuds de procédé.
Naga Chandrasekaran, vice-président exécutif et directeur général d'Intel Foundry, a déclaré qu'en certifiant l'option de procédé High NA EUV pour des couches sélectionnées de produits Intel 18A, le parc d'outils actuel de l'entreprise peut offrir une capacité de production plus élevée aux clients, tout en développant des options de pointe en matière de performance, de densité et de flexibilité de fabrication pour les prochains nœuds.
Cette annonce signifie que le High NA EUV est passé de la phase de développement à la fabrication commerciale de semi-conducteurs. Bien qu'Intel n'applique actuellement cette technologie qu'à des couches de procédé spécifiques plutôt qu'à l'ensemble d'une puce, l'obtention de la certification de production fournit une validation importante de la faisabilité du High NA EUV en environnement de fabrication, et accumule des données opérationnelles réelles pour un déploiement à plus grande échelle sur des nœuds plus avancés à l'avenir. Cette avancée renforce également le positionnement d'Intel Foundry en tant que partenaire de fabrication de premier plan pour la prochaine génération de technologies de lithographie. Contrairement à Intel, d'autres grandes fonderies comme TSMC et Samsung évaluent encore l'applicabilité du High NA EUV pour leurs futurs nœuds. Une adoption plus large dans l'ensemble de l'industrie dépendra de l'économie de la fabrication des équipements, de l'amélioration supplémentaire du débit, et de l'évolution de la demande des clients pour les futures puces d'IA et de calcul haute performance.
