Sumitomo Chemical (Japon) lance la production en série de tranches épitaxiales en phosphure d'indium de 4 pouces, avec un chiffre d'affaires attendu de 10 milliards de yens

fr.wedoany.com Rapport : Le 31 août, Sumitomo Chemical a annoncé la mise en place d'un système de production en série de tranches épitaxiales en phosphure d'indium (InP) de 4 pouces dans son usine d'Ibaraki (ville de Hitachi, préfecture d'Ibaraki) et le début de leur commercialisation. En tant que l'un des rares fabricants spécialisés au Japon capables de produire en série des tranches épitaxiales en InP de manière stable, Sumitomo Chemical entend ainsi soutenir le développement des infrastructures numériques de nouvelle génération, telles que les centres de données d'IA.

Les tranches épitaxiales en InP sont des matériaux essentiels pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques semi-conducteurs à hautes performances, permettant une conversion efficace entre les signaux électriques et les signaux optiques. Avec la généralisation de l'IA générative et l'expansion de l'IdO, des services cloud et des infrastructures de réseaux de communication, la demande de traitement de données à haute vitesse et à grande capacité ne cesse de croître dans tous les secteurs. Les centres de données d'IA sont confrontés à deux défis mondiaux majeurs : la consommation d'électricité et la charge de traitement de l'information. La technologie de fusion optoélectronique est considérée comme une solution clé, et l'application des tranches épitaxiales en InP dans les centres de données de nouvelle génération et les réseaux à haute vitesse connaît une expansion rapide.

La fabrication de tranches épitaxiales en InP nécessite un contrôle précis de la composition des matériaux et de l'état de surface au cours du processus de croissance épitaxiale à haute température, impliquant une gestion complexe des procédés tels que le traitement des gaz précurseurs. Sumitomo Chemical applique à la production de tranches épitaxiales en InP les techniques de contrôle de composition, d'empilement de couches minces et de contrôle des procédés de croissance cristalline accumulées au cours de plus de 25 ans de production en série de tranches épitaxiales en arséniure de gallium (GaAs) et en nitrure de gallium (GaN), parvenant ainsi à concilier haute qualité et haute productivité.

Sumitomo Chemical vise un chiffre d'affaires d'environ 10 milliards de yens pour sa gamme de tranches épitaxiales en InP d'ici le milieu des années 2030. La société prévoit d'intégrer les tranches épitaxiales en InP à sa gamme existante de matériaux semi-conducteurs composés (comprenant les substrats en GaN, les tranches épitaxiales en GaN et les tranches épitaxiales en GaAs), afin d'étendre davantage sa présence sur les marchés en croissance des communications sans fil, des semi-conducteurs de puissance et des centres de données.

Sur le plan de la concurrence industrielle, une autre entreprise du groupe Sumitomo, Sumitomo Electric, a annoncé en juillet 2026 un investissement de 18 milliards de yens pour étendre sa production de substrats en InP, visant à porter sa capacité à 3,1 fois celle de 2024 d'ici 2028. Parallèlement, la société chinoise Wuhan Tianyuan Environmental Protection a acquis 60 % des parts de Zhongxun Semiconductor pour 7,5 millions de yuans, faisant son entrée sur le marché des substrats en InP, avec un investissement supplémentaire prévu de 67 millions de yuans. La course à la capacité de production dans le secteur s'intensifie.