La plateforme technologique DRAM de cinquième génération de ChangXin Technology entre officiellement en production de masse, le rendement par wafer augmentant de plus de 50 %

fr.wedoany.com Rapport : Le 20 septembre, lors de la Conférence mondiale sur l'industrie manufacturière 2026, ChangXin Technology a annoncé l'entrée officielle en production de masse de sa plateforme technologique de cinquième génération. L'entreprise a révélé que cette plateforme réduit le demi-pas de la zone active de la matrice mémoire à 11,95 nanomètres, porte le rapport profondeur/largeur des condensateurs mémoire à 45:1 et abaisse la hauteur de la zone dynamique centrale à 6762 nanomètres ; après l'augmentation de la densité de stockage, le rendement par wafer dans des conditions identiques est supérieur de plus de 50 % à celui de la plateforme de génération précédente.

En juillet de cette année, lors de la réunion d'échange avec les investisseurs à l'occasion de son introduction en bourse, ChangXin Technology classait encore la plateforme technologique de cinquième génération parmi les projets de recherche et développement, indiquant à l'époque que cette plateforme adoptait une technologie de lithographie multiple encore optimisée, avec pour objectif principal de continuer à améliorer la densité de stockage et les performances de la matrice. L'annonce de son entrée officielle en production de masse lors de la Conférence mondiale sur l'industrie manufacturière marque le passage de cette plateforme du stade de la recherche et développement à celui de la production.

ChangXin Technology avait déjà achevé la production de masse de ses plateformes technologiques de la première à la quatrième génération, la quatrième étant déjà utilisée pour des produits tels que DDR5 et LPDDR5/5X. Le rapport semestriel 2026 de l'entreprise montre que la plateforme technologique de quatrième génération utilise des transistors de contrôle à faible fuite et hautes performances, divers dépôts de couches minces de précision ainsi qu'un procédé de nettoyage amélioré, et qu'elle est déjà entrée en phase de production de masse ; la plateforme de cinquième génération adopte quant à elle une technologie de lithographie multiple encore optimisée.

Le produit 24GB LPDDR5X développé sur la base de la plateforme de cinquième génération est déjà entré en production de masse officielle et commence à équiper les principaux smartphones phares nationaux. Les produits LPDDR5X actuels de ChangXin Technology couvrent des capacités de 12GB, 16GB et 24GB ; les produits à 8533 Mbps et 9600 Mbps ont déjà été mis en production de masse, et le produit à 10667 Mbps a également débuté l'envoi d'échantillons aux clients.

Dans le segment des produits de stockage mobile, ChangXin Technology poursuit également la mise en production de produits de générations supérieures. L'entreprise a annoncé le 7 septembre que sa LPDDR6 développée en interne avait atteint la production de masse commerciale, les premiers produits utilisant une puce unique de 16Gb avec une capacité d'encapsulation de 16GB, un débit de transmission en pointe atteignant 12800 Mbps, et étant déjà intégrés dans des smartphones phares.

Le rapport semestriel 2026 de ChangXin Technology montre que les produits DRAM de l'entreprise couvrent actuellement les marchés des appareils mobiles, des serveurs et des ordinateurs personnels, parmi lesquels les LPDDR5/5X sont déjà entrés dans les chaînes d'approvisionnement de marques terminales telles que Xiaomi et Transsion, tandis que les DDR5 sont principalement destinés aux marchés des serveurs et des ordinateurs personnels. Après la mise en production de masse de la plateforme technologique de cinquième génération, l'entreprise poursuivra l'introduction du procédé sur les produits à haute densité LPDDR5X, LPDDR6 et DDR5.