fr.wedoany.com Rapport : Mitsubishi Electric Corporation a dévoilé des échantillons de puces nues de MOSFET en carbure de silicium (SiC) de cinquième génération, spécialement conçus pour les applications de groupes motopropulseurs de véhicules électriques. L'entreprise prévoit de commencer à fournir des échantillons progressivement à partir de fin juin, destinés aux onduleurs de traction et aux systèmes eAxle des véhicules électriques (VE), des véhicules hybrides rechargeables (PHEV) et d'autres plateformes de véhicules électrifiés.

Ce nouveau produit utilise la technologie propriétaire de MOSFET SiC à tranchée de Mitsubishi Electric, conçue pour offrir des pertes à l'état passant inférieures à celles de la génération précédente. La résistance à l'état passant des produits de cinquième génération est environ 25 % inférieure à celle des solutions existantes, contribuant ainsi à améliorer l'efficacité globale de conversion de puissance des systèmes de traction automobiles.

Une résistance à l'état passant plus faible réduit directement les pertes par conduction dans l'onduleur, améliore l'efficacité de la transmission et permet une utilisation plus efficace de l'énergie de la batterie. Les constructeurs automobiles peuvent ainsi augmenter l'autonomie tout en adoptant des architectures de groupes motopropulseurs plus compactes et plus efficaces.

Mitsubishi Electric indique que ces nouvelles puces nues de MOSFET SiC visent à soutenir l'évolution continue des onduleurs haute performance et des systèmes eAxle intégrés, où la densité de puissance et l'efficacité restent des objectifs de conception clés. Ces composants devraient favoriser la miniaturisation des systèmes et l'amélioration des performances en puissance, accélérant ainsi la transition vers des véhicules électrifiés plus efficaces.

Les progrès dans les procédés de fabrication visent à minimiser la dégradation des performances à long terme et à réduire les fluctuations des paramètres critiques (tels que les pertes de puissance et la résistance à l'état passant) tout au long du cycle de vie du composant. Dans un environnement automobile, le maintien de caractéristiques électriques stables sur de longues périodes de fonctionnement est particulièrement important en raison des exigences strictes en matière de fiabilité et de durabilité.

En combinant des pertes plus faibles avec une meilleure cohérence et une stabilité à long terme, ces nouveaux MOSFET SiC visent à améliorer la durabilité et les performances opérationnelles des onduleurs xEV et des systèmes eAxle.

Mitsubishi Electric prévoit de présenter les puces nues de MOSFET SiC de cinquième génération au salon PCIM Expo & Conference à Nuremberg, en Allemagne, ainsi que lors d'autres salons professionnels sur les marchés internationaux tels que le Japon et la Chine, en 2026. Ce produit élargit encore le portefeuille de carbure de silicium de l'entreprise destiné aux applications d'électrification automobile de nouvelle génération.

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