fr.wedoany.com Rapport : Parapia, une entreprise spécialisée dans la fonderie de semi-conducteurs de défense, a annoncé le 15 avoir développé de manière autonome, grâce à sa technologie purement autoproduite, les composants essentiels des modules d'émission-réception (TRM) en bande X : un circuit intégré micro-ondes (MMIC) d'amplificateur de puissance de classe 15W en nitrure de gallium (GaN) et un MMIC d'amplificateur faible bruit (LNA) à auto-polarisation à deux étages en arséniure de gallium (GaAs).
Le TRM est un module central qui connecte les milliers d'éléments d'antenne constituant un radar à balayage électronique actif (AESA) et qui est responsable de l'émission et de la réception des signaux. Sa voie d'émission est équipée d'un MMIC d'amplificateur de puissance (HPA) qui amplifie le signal et l'envoie à l'antenne, tandis que sa voie de réception est équipée d'un MMIC LNA qui amplifie les signaux faibles reçus avec un bruit minimal.
Ces deux types de MMIC sont les composants semi-conducteurs les plus importants qui déterminent la puissance de sortie, la sensibilité du TRM, ainsi que la portée de détection et l'efficacité globales du radar. Auparavant, les produits de la société U étaient largement utilisés sur le marché mondial.
L'amplificateur de puissance nécessite l'utilisation de GaN, tandis que le LNA nécessite l'utilisation de GaAs, des procédés de semi-conducteurs composés différents pour obtenir des performances optimales. La satisfaction simultanée des problèmes de dissipation thermique et d'efficacité liés à la puissance élevée, ainsi que d'un facteur de bruit extrêmement faible, rend cette conception extrêmement difficile.
Le MMIC d'amplificateur de puissance pour TRM en bande X développé cette fois par Parapia est basé sur un procédé GaN HEMT. Il s'agit d'un amplificateur de puissance de classe 15W, dont la conception est compatible avec les produits de référence de la société U, permettant un remplacement direct sans modification des circuits du système existant.
L'efficacité de puissance ajoutée (PAE) est un indicateur clé de l'amplificateur de puissance, qui fait l'objet d'une attention particulière. L'efficacité est un paramètre central qui influence la génération de chaleur, la consommation d'énergie du TRM, ainsi que la charge globale du système de refroidissement du radar. Le MMIC développé cette fois-ci, dans des conditions de sortie identiques, a vu son PAE passer d'environ 40 % pour le produit de référence de la société U à 45 %. Cette amélioration a été réalisée tout en maintenant les autres indicateurs principaux, tels que la puissance de sortie et le gain, à des niveaux équivalents à ceux des concurrents.
Le MMIC LNA développé simultanément adopte une structure à deux étages basée sur un procédé GaAs pHEMT, permettant d'obtenir un faible facteur de bruit et un gain suffisant. Il est également compatible broche à broche (pin-to-pin) avec les produits concurrents de la société U.
Le principal avantage de ce LNA réside dans sa conception à auto-polarisation. Les LNA GaAs classiques nécessitent l'application séparée d'une tension de grille négative et d'une tension de drain positive pour fonctionner, ainsi que la gestion de la séquence de mise sous tension (sequencing), ce qui rend leur utilisation relativement complexe. Le LNA à auto-polarisation de Parapia peut fonctionner directement avec une seule alimentation, sans nécessiter de circuit supplémentaire de génération de tension négative ou de circuit de séquence de polarisation, simplifiant ainsi la conception du TRM et du système, et réduisant le nombre de composants et les coûts.
Le professeur Yang Young-gu, représentant directeur de Parapia, a déclaré qu'après le FEM, la maîtrise, grâce à une technologie de conception autoproduite, de l'amplificateur de puissance et du LNA, qui sont le cœur du TRM, constitue un pas de plus vers l'autoproduction complète des semi-conducteurs essentiels pour l'émission et la réception. L'entreprise dispose désormais d'une gamme complète couvrant les principales gammes de produits en bande X. Il a souligné que le dépassement des concurrents mondiaux sur l'indicateur d'efficacité le plus important prouve la capacité de conception, et que l'entreprise étendra sa gamme de produits aux bandes Ku et Ka, contribuant ainsi à l'autonomie des technologies de semi-conducteurs pour la défense et l'aérospatiale.
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