fr.wedoany.com Rapport : Les investissements mondiaux dans les équipements de fabrication de semi-conducteurs sur tranches de 300 mm dans le domaine du stockage devraient atteindre un nouveau record en 2026, à 52 milliards de dollars, franchissant pour la première fois la barre des 50 milliards de dollars cette année-là.
Selon la dernière édition du deuxième trimestre 2026 du rapport « 300mm Fab Outlook » publié par SEMI (International Semiconductor Industry Association), les dépenses mondiales en équipements pour les usines de mémoires sur tranches de 300 mm devraient augmenter de 29 % en 2026, pour atteindre 52 milliards de dollars. Le rapport de SEMI prévoit en outre qu'en 2027, ces investissements augmenteront encore de 11 %, pour atteindre 57 milliards de dollars.
Ce cycle d'investissement vigoureux reflète la concentration des ressources de l'industrie des semi-conducteurs pour étendre la capacité de production de mémoires avancées, afin de soutenir le développement rapide des infrastructures d'intelligence artificielle, du cloud computing et des applications de calcul haute performance. Selon les données de SEMI, de 2024 à 2029, le taux de croissance annuel composé (CAGR) des dépenses mondiales en équipements pour les usines de mémoires sur tranches de 300 mm devrait atteindre 19 %.
La montée en flèche de la demande en IA stimule une demande sans précédent pour des solutions de mémoire hautes performances, telles que la mémoire à large bande passante (HBM), la DRAM avancée et la mémoire flash 3D NAND de nouvelle génération. Sous cette impulsion, la capacité de production mondiale de mémoires sur tranches de 300 mm devrait atteindre 4,1 millions de tranches par mois en 2026, puis 4,2 millions par mois en 2027.
Ajit Manocha, président et directeur général de SEMI, a souligné que la forte demande pour la HBM et d'autres technologies de mémoire avancées est en train de remodeler fondamentalement les priorités d'investissement de l'ensemble de la chaîne d'approvisionnement des semi-conducteurs. Le déploiement croissant des infrastructures d'IA pousse les fabricants de mémoires à accélérer leurs investissements en capacité et leurs migrations technologiques pour répondre à des applications de plus en plus gourmandes en données.
Dans le détail, les investissements en équipements pour la fabrication de DRAM devraient augmenter de 29 % en 2026, pour atteindre 37 milliards de dollars. Cette croissance est principalement due à la forte demande de HBM et de mémoire DDR5 de la part des plateformes de processeurs graphiques (GPU) et d'accélérateurs d'IA, qui fournissent la puissance de calcul pour les charges de travail d'IA générative.
Les investissements en équipements pour la 3D NAND devraient également connaître une forte croissance, avec une augmentation de 28 % en 2026, pour atteindre 14 milliards de dollars. Cette croissance reflète la demande croissante des entreprises, des fournisseurs de cloud hyperscale et des développeurs d'IA pour des infrastructures de stockage vastes et rapides, en raison du déploiement de modèles d'IA à plus grande échelle.
SEMI indique que les investissements continus dans les technologies de DRAM à nœuds avancés, de HBM et de 3D NAND à plus grand nombre de couches améliorent les perspectives de capacité de production mondiale de mémoires. Cependant, une expansion efficace de la capacité reste entravée par la complexité des migrations technologiques et des processus de fabrication liés aux nœuds DRAM avancés, à l'intégration de la HBM et à la transition vers des NAND à plus grand nombre de couches.
Du côté des principaux fournisseurs d'équipements, Applied Materials étend ses capacités de fabrication et de R&D, notamment avec un investissement de 500 millions de dollars à Singapour, et lance de nouveaux systèmes d'ingénierie des matériaux pour les puces d'IA, la DRAM avancée, la HBM et l'encapsulation avancée. Lam Research continue d'investir dans les équipements pour la DRAM avancée, la HBM et la 3D NAND, en développant des technologies prenant en charge les NAND à plus grand nombre de couches et le scaling avancé des mémoires. Tokyo Electron accroît ses investissements dans les solutions de fabrication de semi-conducteurs pilotées par l'IA, en se concentrant sur les procédés de DRAM avancée, de HBM et de NAND de nouvelle génération. KLA a élargi son portefeuille de systèmes d'inspection et de métrologie pour la fabrication de HBM, de DRAM avancée et de 3D NAND. ASML continue d'augmenter les livraisons de ses systèmes avancés de lithographie par ultraviolets extrêmes (EUV) pour la production de DRAM de pointe et de HBM. ASM International a renforcé son portefeuille de dépôt de couches atomiques (ALD) et d'épitaxie, des technologies qui deviennent de plus en plus cruciales pour le scaling de la DRAM avancée, la fabrication de HBM et les dispositifs de mémoire de nouvelle génération.
Cette vague d'investissements est actuellement menée par les plus grands fabricants mondiaux de DRAM et de NAND. Samsung Electronics, le plus grand producteur mondial de puces mémoire, investit massivement pour étendre la fabrication de DRAM avancée, de HBM et de 3D NAND, et prévoit de construire deux nouvelles usines de fabrication de semi-conducteurs dans le cadre d'un plan national sud-coréen visant à soutenir la production de puces pilotée par l'IA, d'un montant de 800 000 milliards de wons (environ 518 milliards de dollars). SK Hynix étend sa production de HBM4, de DRAM avancée et de technologies de mémoire pour l'IA, et prévoit de construire deux nouvelles installations de fabrication dans le cadre du plan d'expansion des semi-conducteurs en Corée du Sud. Micron Technology prévoit des dépenses d'investissement d'environ 10 milliards de dollars en 2026 pour étendre sa production de HBM et sa capacité de DRAM avancée, et a signé des accords d'approvisionnement à long terme d'une valeur de 22 milliards de dollars avec 16 clients stratégiques, tout en continuant à étendre ses activités de fabrication aux États-Unis et à Singapour. Kioxia continue d'investir dans la technologie 3D NAND BiCS de nouvelle génération et dans des lignes de production avancées sur tranches de 300 mm. Western Digital investit conformément à sa feuille de route technologique NAND pour répondre à la demande de SSD d'entreprise et de stockage pour l'IA. Dans le cadre de la stratégie chinoise d'autosuffisance en semi-conducteurs, Yangtze Memory Technologies (YMTC) continue d'étendre sa production nationale de 3D NAND.
