fr.wedoany.com Rapport : Lors du forum SAFE 2026 organisé au siège de Séoul à Seocho, Samsung Electronics a présenté le 1er juillet sa feuille de route pour le nouveau procédé 2 nm (nanomètre, un milliardième de mètre), les technologies de co-optimisation conception-procédé (DTCO) et les mémoires SRAM haute performance. L’entreprise prévoit de collaborer avec l’alliance « M.AX » (Manufacturing AI Transformation) du gouvernement sud-coréen pour développer des puces d’intelligence artificielle (IA) en périphérie, renforçant ainsi son rôle de plateforme pour les semi-conducteurs système en Corée du Sud.
Shin Jong-shin, directeur du bureau de développement de la plateforme de conception (DP) de la division fonderie de Samsung Electronics, a déclaré dans son discours principal que l’entreprise renforcerait sa capacité à répondre à la demande en IA et, grâce au forum SAFE, intensifierait la communication avec ses clients et partenaires pour lancer officiellement une collaboration client, dépassant la simple production en fonderie et consolidant son rôle de plateforme pour l’industrie nationale des semi-conducteurs système.
Park Sung-hyun, PDG de l’entreprise sud-coréenne de conception sans usine (fabless) Rebellions, a présenté le processeur neuronal (NPU) « Rebel100 », développé sur la base du procédé de fonderie 4 nm de Samsung Electronics et de l’encapsulation avancée. Il a indiqué que la collaboration se poursuivrait dans le domaine des semi-conducteurs IA pour construire une IA souveraine. Jean Marie Brunet, vice-président senior de Siemens EDA, entreprise mondiale d’automatisation de la conception électronique (EDA), a également présenté des solutions de support pour accélérer la réalisation de semi-conducteurs IA et de calcul haute performance (HPC) en utilisant les procédés avancés de Samsung.
Outre la collaboration écosystémique, Samsung Electronics a dévoilé une feuille de route personnalisée pour répondre à la demande en semi-conducteurs IA, incluant la technologie DTCO optimisant simultanément conception et procédé, le nouveau procédé 2 nm, et des solutions pour améliorer la compétitivité des mémoires SRAM haute performance, visant à renforcer la compétitivité en termes de puissance, performance et surface (PPA). L’entreprise collabore avec le gouvernement sud-coréen et le monde académique pour accélérer l’expansion de l’infrastructure écosystémique nationale des semi-conducteurs système, participe à l’alliance M.AX promue par le ministère du Commerce, de l’Industrie et de l’Énergie, et développe des semi-conducteurs IA en périphérie à faible consommation et haute performance pour l’automobile, l’électroménager, la robotique et la défense. Parallèlement, Samsung Electronics continue de soutenir le projet de circuits multi-projets (MPW) visant à réduire la charge des prototypes initiaux pour les entreprises fabless nationales, et participe au programme de formation de talents de niveau master et doctorat « K-CHIPS ».
Ce forum, placé sous le thème « Point de connexion de l’intelligence silicium », a attiré plus de 400 participants, clients et partenaires du monde entier. Vingt et un partenaires des domaines de l’EDA, de la propriété intellectuelle (IP), des solutions de conception (DSP), de la conception virtuelle (VDP) et de l’encapsulation avancée (MDI) ont présenté leurs solutions sur des stands. Un responsable de Samsung Electronics a déclaré qu’avec l’expansion du marché des semi-conducteurs IA, les technologies de procédé avancé et la capacité de construction d’écosystèmes deviennent des compétences clés. Pour favoriser le développement de l’écosystème national des semi-conducteurs système et renforcer la compétitivité en fonderie, Samsung Electronics continuera de collaborer avec ses clients, partenaires et le gouvernement, en s’appuyant sur les projets SAFE et MPW.
