fr.wedoany.com Rapport : Samsung Electronics et SK Hynix réévaluent leurs plans d’introduction de la technologie de liaison hybride dans les mémoires à large bande passante (HBM) de nouvelle génération, car la nécessité de ses deux avantages principaux — la réduction d’épaisseur et l’amélioration des performances thermiques — diminue.
Selon des sources du secteur, le calendrier d’adoption généralisée de la liaison hybride pour les HBM de nouvelle génération pourrait être plus tardif que prévu. Des prévisions antérieures suggéraient que cette technologie pourrait être appliquée dès la HBM4 (sixième génération de HBM), mais en raison de sa complexité technique, cela ne s’est pas concrétisé. Actuellement, certaines prévisions indiquent qu’elle pourrait être adoptée à partir de la HBM4E à 16 couches (septième génération de HBM), repoussant ainsi la date d’application attendue. Actuellement, Samsung Electronics et SK Hynix utilisent encore la technologie de liaison par thermocompression (TC Bonding) dans leur production de masse, où de minuscules bosses (Bump) et un matériau de sous-remplissage (Underfill) sont placés entre les couches de DRAM, et la connexion est réalisée par la chaleur et la pression.
La technologie de liaison hybride connecte directement les câblages en cuivre de chaque couche de DRAM, éliminant le besoin de bosses et de matériau de sous-remplissage, ce qui contribue à réduire l’épaisseur globale de la HBM et à améliorer les caractéristiques thermiques et l’efficacité énergétique. Cependant, les acteurs du secteur soulignent que les deux principaux moteurs de l’adoption de la liaison hybride s’affaiblissent. D’une part, la norme d’épaisseur de la HBM a été assouplie : l’épaisseur standard de la HBM3E est de 720 micromètres, tandis que celle de la HBM4 a été relevée à 775 micromètres, en raison de l’augmentation du nombre de couches de DRAM empilées, passant de 8 et 12 couches à 12 et 16 couches ; l’organisation internationale de normalisation des semi-conducteurs (JEDEC) envisage même d’assouplir la norme d’épaisseur de la prochaine génération de HBM à 20 couches (comme la HBM5) de 900 micromètres à environ 1000 micromètres. D’autre part, la demande des clients clés, comme Nvidia, pour les HBM à empilement élevé a été retardée. Un responsable d’une entreprise de mémoires a indiqué que les discussions actives sur la HBM à 16 couches n’ont pas encore eu lieu avec les clients, et que les produits à 12 couches de la HBM4E resteront probablement dominants.
Pour compenser les avantages thermiques de la liaison hybride, Samsung Electronics et SK Hynix explorent d’autres solutions. Samsung Electronics a proposé le Heat Path Block (HPB), tandis que SK Hynix a introduit le concept iHBM (ICE HBM), tous deux plaçant un composant dédié à la dissipation de la chaleur à côté de la puce centrale de la HBM. Des acteurs de l’industrie de l’encapsulation indiquent que cette technologie est peu complexe à mettre en œuvre et à disposer, avec des perspectives de commercialisation claires, ce qui en fait une option stable pour les entreprises de mémoires. Les deux sociétés testent l’application de cette technologie à la HBM5.
Bien que l’application de la liaison hybride puisse être retardée, Samsung Electronics et SK Hynix poursuivent leurs recherches sur cette technologie. À long terme, l’augmentation du nombre et de la densité des I/O (terminaisons d’entrée/sortie) internes de la HBM rendra la technologie de liaison hybride indispensable. Le nombre d’I/O de la HBM4 a déjà doublé par rapport à la génération précédente HBM3E, atteignant 2048, et la liaison TC a du mal à supporter une densité d’I/O encore plus élevée en raison de la diffusion latérale des bosses après fusion. Un acteur de l’industrie de l’encapsulation a souligné que si le nombre d’I/O de la HBM5E double à nouveau pour atteindre 4096, l’espacement des I/O deviendra extrêmement étroit, rendant l’adoption de la technologie de liaison hybride inévitable.
