fr.wedoany.com Rapport : Micron Technology a annoncé un plan d’investissement à long terme aux États-Unis, d’un montant supérieur à 2500 milliards de dollars, en nette augmentation par rapport à l’objectif de 2000 milliards de dollars de l’année dernière. Ce plan vise à transférer 40 % de la production de DRAM (mémoire vive dynamique) de l’entreprise vers les États-Unis.
Le 9 juillet, Micron Technology a annoncé son intention d’investir plus de 2500 milliards de dollars aux États-Unis d’ici 2035 pour la construction d’usines et la recherche et développement technologique. Les projets spécifiques incluent la construction d’une deuxième usine de fabrication de puces mémoire de pointe à Boise, dans l’Idaho, ainsi que l’extension d’une installation existante à Manassas, en Virginie. En outre, des centaines de milliards de dollars seront consacrés à la R&D technologique.
Dans le cadre de ce plan d’investissement, Micron Technology a annoncé un investissement allant jusqu’à 3 milliards de dollars aux États-Unis pour renforcer l’écosystème de la chaîne d’approvisionnement des semi-conducteurs américains, développer des capacités de fabrication de semi-conducteurs essentielles aux futures innovations technologiques, et répondre à la demande de mémoire avancée pour l’intelligence artificielle et d’autres applications gourmandes en données. Sur ce montant, 500 millions de dollars sont destinés à un financement stratégique pour la société GlobalWafers, afin de soutenir la construction d’une usine de fabrication de tranches de silicium brut de 300 mm à Sherman, au Texas. Les deux sociétés ont également signé un accord d’approvisionnement de 10 ans pour garantir à Micron Technology une capacité suffisante de tranches de silicium, et prévoient de collaborer au développement de technologies de tranches de nouvelle génération et d’innovations de procédés.
À l’ouverture du 9 juillet, l’action Micron Technology a bondi de plus de 7 %, pour une capitalisation boursière de 1,2 billion de dollars.
Avant l’annonce de ce plan d’investissement, le gouvernement sud-coréen, en collaboration avec le groupe Samsung et le groupe SK, a dévoilé le 29 juin un plan d’investissement national totalisant 4755 billions de wons, axé sur trois catégories de projets clés : les semi-conducteurs, l’IA physique et les centres de données IA. Parmi ceux-ci, un investissement de 800 billions de wons (environ 518 milliards de dollars) est prévu dans le sud-ouest de la Corée du Sud pour la construction de quatre usines de semi-conducteurs, Samsung Electronics (005930.KS) et SK Hynix (000660.KS) étant chacune responsable de deux usines. Plus précisément, SK Hynix prévoit d’investir 1100 billions de wons pour accroître l’offre de DRAM et de mémoire flash NAND, tandis que Samsung prévoit d’investir 400 billions de wons à Gwangju pour une nouvelle usine de fabrication de tranches, et 56 billions de wons à Cheonan et Onyang pour une nouvelle usine de HBM (mémoire à large bande passante).
Samsung Electronics, SK Hynix et Micron Technology sont les trois plus grands fabricants mondiaux de DRAM. Ces plans d’investissement montrent la détermination des fabricants internationaux de DRAM à étendre leurs capacités de production de mémoire et à renforcer leurs capacités de fabrication locales. Xu Jiayuan, analyste chez TrendForce, a déclaré que les plans d’expansion des capacités de chaque fournisseur dépendront en fin de compte de l’exécution spécifique et de la structure de la clientèle.
Le fabricant chinois de DRAM, Changxin Technology, a lancé la procédure d’introduction en bourse sur le STAR Market, avec un objectif de levée de fonds de 29,5 milliards de yuans. Ces fonds seront utilisés pour la mise à niveau technologique de la mémoire DRAM, la recherche et le développement de technologies de pointe, ainsi que les projets de mise à niveau et de transformation des lignes de production de masse de tranches.
