fr.wedoany.com Rapport : Samsung Electronics construit une nouvelle usine de production de DRAM sur le site de son usine de Giheung, située à Yongin, dans la province du Gyeonggi. L’entreprise prévoit de transformer un terrain initialement destiné à la construction d’un centre de recherche et développement en installation de production de mémoires. La nouvelle usine devrait avoir une capacité de production mensuelle d’environ 100 000 plaquettes de silicium, avec un investissement pouvant atteindre plusieurs milliers de milliards de wons, et les travaux devraient débuter au troisième trimestre au plus tôt. Ce réaménagement des plans de construction par Samsung Electronics vise principalement à répondre à la croissance de la demande de mémoires et à la pénurie d’approvisionnement sur le marché, provoquées par l’accélération des investissements mondiaux dans les infrastructures d’intelligence artificielle et urbaines.
Actuellement, Samsung Electronics a mis en place une équipe interne de construction chargée de superviser la planification et la construction de la nouvelle usine. La taille de ce projet est comparable à celle d’un bâtiment de l’usine voisine de Hwaseong. Pour installer les installations auxiliaires nécessaires à la ligne de production de DRAM, l’entreprise envisage également de démolir certains bâtiments existants sur le site de Giheung.
Le site choisi pour la nouvelle usine de DRAM était auparavant occupé par le bâtiment « SR5 ». SR5 était le centre de recherche et développement emblématique de l’usine de Giheung de Samsung, et le berceau de l’activité semi-conducteurs de l’entreprise. Ce centre a été fondé en 1987 par Lee Byung-chul, fondateur de Samsung Electronics, qui y a inculqué à ses employés l’esprit d’« exploration infinie ».
Les installations existantes de SR5 ne répondant plus aux besoins de la fabrication ultra-fine à l’échelle nanométrique et de la recherche et développement de pointe en matière de mémoires, la direction de Samsung Electronics a démoli le bâtiment entre la fin de l’année dernière et le début de cette année.
Selon les plans initiaux, après la démolition de SR5, Samsung Electronics devait construire deux nouveaux bâtiments de centre de recherche et développement sur le site, servant de « tour de contrôle de la R&D » pour l’usine de Giheung, à l’instar de la tour DSR de l’usine voisine de Hwaseong. Avec l’expansion de la division Solutions d’équipement, responsable des activités semi-conducteurs de Samsung Electronics, et l’augmentation du nombre de chercheurs, l’entreprise prévoyait initialement d’étendre davantage ses espaces de R&D en construisant de nouveaux centres.
Cependant, dans un contexte de croissance rapide des investissements mondiaux dans les infrastructures d’intelligence artificielle et de resserrement de l’offre sur le marché des mémoires, Samsung Electronics a finalement modifié ses plans initiaux, transformant l’utilisation du terrain d’un centre de R&D en installation de production de mémoires.
Récemment, les entreprises technologiques mondiales accélèrent la construction de centres de données informatiques à grande échelle pour l’intelligence artificielle, ce qui stimule la demande de mémoires. En particulier, alors que les fabricants de DRAM peinent à satisfaire pleinement la demande de mémoires à large bande passante, les mémoires génériques utilisées dans les smartphones et les ordinateurs personnels commencent également à connaître des tensions d’approvisionnement.
Selon les prévisions de la société d’études de marché Counterpoint Research, sous l’effet de la hausse des prix des produits, les revenus mondiaux du marché des DRAM devraient passer de 150 milliards de dollars à 210 milliards de dollars cette année, soit environ 312 000 milliards de wons.
Avec l’expansion de la demande du marché, Samsung Electronics accélère l’augmentation de sa capacité de production de semi-conducteurs. Un initié du secteur a indiqué qu’au premier semestre de cette année seulement, le bénéfice d’exploitation de Samsung Electronics a dépassé 140 000 milliards de wons, et que l’entreprise cherche actuellement des opportunités d’augmenter ses investissements en capital. L’analyse du secteur suggère que, par rapport à la poursuite de la construction de centres de R&D, la direction de Samsung Electronics accorde actuellement une plus grande priorité à l’expansion rapide de la capacité de production pour répondre à la croissance de la demande de mémoires.
Outre la construction de la nouvelle usine de DRAM à Giheung, Samsung Electronics poursuit également l’expansion de sa capacité de production de semi-conducteurs, principalement autour de son usine de Pyeongtaek. L’usine 4 de Pyeongtaek est en train de construire une nouvelle ligne de production, prévue pour produire 100 000 plaquettes de DRAM par mois pour la sixième génération de mémoires à large bande passante HBM4.
Samsung Electronics prévoit également de construire une nouvelle usine à Yongin, dans la province du Gyeonggi, pour en faire un cluster industriel de semi-conducteurs de nouvelle génération, avec un objectif de mise en service en 2029. Par ailleurs, l’entreprise construit une deuxième usine avancée de semi-conducteurs dans le cluster industriel de Gwangju, dans la province du Jeolla du Sud, avec un investissement prévu de 400 000 milliards de wons.
