fr.wedoany.com Rapport : Le fondeur mondial de semi-conducteurs spécialisés Tower Semiconductor a annoncé qu'avec le soutien d'une subvention d'un milliard de dollars du ministère japonais de l'Économie, du Commerce et de l'Industrie, il lancera un plan d'expansion stratégique à deux volets, axé sur l'augmentation des capacités de production de photonique sur silicium (SiPho), de silicium-germanium (SiGe) et d'encapsulation avancée sur substrats de 300 mm (12 pouces).

Selon le plan, Tower Semiconductor investira environ 3 milliards de dollars (soit environ 20,295 milliards de yuans) pour étendre considérablement ses capacités de production de photonique sur silicium, de silicium-germanium et d'encapsulation optique avancée sur substrats de 12 pouces au Japon, afin de répondre à la croissance du marché des interconnexions optiques à haut débit, stimulée par l'explosion de la demande en puissance de calcul pour l'intelligence artificielle et les centres de données.

Ce plan d'expansion se déroule en deux phases. La première phase se concentre sur l'augmentation significative de la capacité de production de dispositifs photoniques sur silicium de 12 pouces, avec une mise en production complète prévue au quatrième trimestre 2027. Cette phase comprend la conversion de l'usine d'Arai (anciennement Fab 6) dans la préfecture de Niigata, afin de lui conférer une capacité de production de dispositifs photoniques sur silicium de 12 pouces et des capacités d'encapsulation avancée, tout en créant des synergies avec l'usine Fab 7 située à Uozu, dans la préfecture de Toyama, pour maximiser la capacité de production sur substrats de 12 pouces. Sur la base des perspectives de croissance de la première phase, Tower Semiconductor a relevé ses objectifs financiers à long terme, visant un chiffre d'affaires de 3,6 milliards de dollars et un bénéfice net de 1,2 milliard de dollars en 2028.

La deuxième phase, lancée simultanément avec la première, consiste à construire une nouvelle usine de fabrication de semi-conducteurs sur substrats de 12 pouces à côté de l'usine Fab 7. La construction pourra commencer après la signature et la conclusion des accords pertinents. Une fois opérationnelle, cette usine devrait permettre à Tower Semiconductor de multiplier par plusieurs fois ses capacités de production de photonique sur silicium et de silicium-germanium, afin de répondre à la demande croissante des clients dans les applications d'intelligence artificielle et de centres de données, et de favoriser le développement des technologies de connexion optique de nouvelle génération.

Tower Semiconductor a indiqué qu'en établissant des capacités de fabrication avancées de photonique sur silicium et de silicium-germanium au Japon, cela renforcera non seulement l'écosystème des semi-conducteurs et la résilience de la chaîne d'approvisionnement du Japon, mais créera également une valeur à long terme pour l'entreprise et l'industrie locale.