Samsung Electronics applique le procédé 4 nm à la puce de base du HBM4 pour favoriser la reprise de sa capacité de production

fr.wedoany.com Rapport : Samsung Electronics applique le procédé 4 nm à très faible consommation d'énergie à la puce de base (base die) de la mémoire à large bande passante (HBM) 4, afin de réduire la consommation d'énergie et d'améliorer les performances de traitement des données. Cette technologie devient un fondement essentiel pour répondre à la demande croissante de puces HBM et de puces d'inférence en intelligence artificielle. Choi Jeong-min, responsable du projet au sein du bureau de développement technologique de la division fonderie, a reçu le « Prix de l'ingénieur de la République de Corée » en mars dernier pour ses réalisations dans le développement du procédé 4 nm à très faible consommation d'énergie.

Choi Jeong-min a dirigé le développement d'une technologie qui réduit la capacité en abaissant la hauteur du transistor à structure tridimensionnelle FinFET et la largeur de contact interne du dispositif, améliorant ainsi les performances du semi-conducteur tout en réduisant la consommation d'énergie.

Choi Jeong-min a déclaré que l'introduction précoce de la technologie de procédé 4 nm à très faible consommation d'énergie a contribué au développement et à la production en série de la puce de base du HBM4. La puce de base du HBM est une puce qui connecte la DRAM empilée en plusieurs couches au processeur graphique et à l'accélérateur IA, et qui gère les données, l'alimentation et les signaux de contrôle. Elle est considérée comme un composant clé déterminant les performances du HBM, affectant directement la vitesse de traitement des données et l'efficacité énergétique. Samsung Electronics produit la puce de base du HBM4 via son propre procédé de fonderie 4 nm, intégrant les capacités de mémoire, de fonderie et d'encapsulation. Avec l'expansion du marché du HBM, l'importance du procédé de fonderie avancé pour la production de puces de base augmentera également.

Selon les observations de l'industrie, le taux d'utilisation de la capacité de production du procédé 4 nm de Samsung Electronics se rétablit rapidement, porté par la demande de semi-conducteurs basés sur le HBM4 et l'inférence IA. Dans le domaine de la fonderie, le taux d'utilisation des lignes de production est directement lié à la rentabilité, de sorte que l'impact de l'expansion de la demande de 4 nm sur l'amélioration des performances financières est très attendu. Alors que le centre de gravité du marché de l'IA passe de l'entraînement à l'inférence, la demande de semi-conducteurs IA personnalisés de la part des grandes entreprises technologiques mondiales augmente également. En conséquence, la capacité intégrée de semi-conducteurs de Samsung Electronics, qui offre non seulement des procédés avancés, mais aussi la mémoire, la conception et l'encapsulation, devrait se démarquer davantage. Choi Jeong-min a déclaré que le cœur de l'ère de l'IA réside dans la technologie des procédés semi-conducteurs, et estime que cette technologie contribuera à renforcer la compétitivité de la Corée du Sud en matière d'IA et à créer un avenir meilleur.