Navitas Semiconductor et GlobalFoundries : les premiers produits GaNFast de cinquième génération fabriqués aux États-Unis expédiés en septembre

fr.wedoany.com Rapport : Le 1er septembre, Navitas Semiconductor a confirmé que les premiers produits de sa cinquième génération de semi-conducteurs de puissance GaNFast fabriqués aux États-Unis commenceraient à être expédiés en septembre. Ces composants sont produits par l’usine de GlobalFoundries située à Burlington, dans le Vermont, sur une plateforme de fabrication en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) de 200 millimètres, les premiers produits étant des FET GaN de 650 V.

Les produits de lancement sont proposés en cinq spécifications de résistance à l’état passant (RDS(on)) : 11 mΩ, 18 mΩ, 50 mΩ, 120 mΩ et 150 mΩ. Selon le calendrier de livraison annoncé par les deux parties, les premières tranches de plaquettes seront expédiées en septembre, entreront en phase d’échantillonnage interne en octobre, et des échantillons destinés à certains clients stratégiques devraient être fournis d’ici la fin 2026.

Navitas Semiconductor a adapté l’architecture et le processus de fabrication de ses dispositifs GaNFast de génération 5 au procédé GaN-on-Si de 200 mm de GlobalFoundries. La collaboration couvre à la fois les FET GaNFast et les circuits intégrés de puissance, ces produits étant destinés aux applications de haute puissance telles que les centres de données d’IA, le calcul haute performance, l’électrification industrielle et les infrastructures critiques. Les circuits intégrés de puissance GaNFast peuvent intégrer les fonctions d’interrupteur de puissance, de pilotage, de commande, de détection et de protection.

Les deux parties ont signé un accord stratégique de coopération à long terme en novembre 2025, qui prévoyait le développement et la fabrication de la prochaine génération de dispositifs GaN dans l’usine de Burlington de GlobalFoundries, avec un démarrage du développement début 2026 et une entrée en production au cours de l’année 2026. L’expédition des premières plaquettes en septembre marque le passage de cette collaboration de la phase de développement préalable du procédé à la livraison effective de produits.

Le site de Burlington de GlobalFoundries assure la fabrication des dispositifs GaN-on-Si haute tension, tandis que Navitas Semiconductor fournit les dispositifs GaN, les kits de conception de procédé et les technologies d’architecture de dispositifs. Les paramètres des premiers produits annoncés par les deux parties se concentrent sur les FET GaN de 650 V ; le nombre de plaquettes initiales, l’ampleur des commandes clients et le calendrier précis d’expédition des circuits intégrés de puissance GaNFast de génération 5 n’ont pas encore été divulgués.