Accord de licence technologique sur le carbure de silicium entre Navitas (États-Unis) et Magnachip (Corée du Sud)

fr.wedoany.com Rapport : Navitas Semiconductor et Magnachip Semiconductor Corporation ont annoncé un partenariat stratégique dans le cadre duquel Magnachip obtiendra une licence pour la technologie Trench-Assisted Planar (TAP) GeneSiC de Navitas, afin d’accélérer l’adoption de la technologie du carbure de silicium (SiC) sur les marchés de l’électricité haute tension (HT) et très haute tension (THT).

Selon l’accord, la licence accordée à Magnachip couvre la technologie GeneSiC pour les tensions de 1200 V, 2300 V, 3300 V et au-delà. Magnachip prévoit de développer des produits d’application pour la conversion d’énergie de nouvelle génération en s’appuyant sur la plateforme mature de dispositifs SiC de Navitas. Navitas fournira à Magnachip un soutien en matière de chaîne d’approvisionnement et de matériaux SiC pour l’aider à accélérer sa mise sur le marché. Les deux parties estiment qu’après le transfert de technologie, la certification et l’internalisation dans l’usine de fabrication de Magnachip en Corée du Sud, cette collaboration accélérera l’entrée de Magnachip dans le domaine du SiC, tout en maintenant la continuité avec la base technologique et matérielle existante de Navitas.

La technologie sous licence devrait prendre en charge des applications de nouvelle génération, notamment dans les domaines de l’énergie et des infrastructures de réseau, du stockage d’énergie, de l’électrification industrielle, de l’automobile et d’autres systèmes de forte puissance. Navitas et Magnachip soulignent que la technologie SiC a un impact direct sur les véhicules électriques, les énergies renouvelables, les centres de données d’intelligence artificielle et l’aérospatiale, mais que la portée de leur collaboration ne s’arrête pas là. Dans un communiqué de presse, les deux sociétés ont indiqué que l’étendue complète de la collaboration « sera détaillée ultérieurement ».

Chris Allexandre, président-directeur général de Navitas, a déclaré que ce partenariat stratégique reflète la vision à long terme de l’entreprise visant à étendre les applications GeneSiC sur les marchés de l’électricité haute et très haute tension. Grâce à la licence technologique et au soutien de l’écosystème de la chaîne d’approvisionnement et des matériaux, les deux parties ouvrent une voie plus rapide pour étendre les solutions SiC avancées et favorisent une collaboration plus approfondie et à plus long terme entre elles. Chae Lee, directeur général de Magnachip, a indiqué que cet accord ouvre d’importantes opportunités de marché pour Magnachip dans le domaine du SiC haute et très haute tension. L’ajout de la technologie GeneSiC complète son portefeuille existant de MOSFET et de semi-conducteurs de puissance, lui permettant de servir des clients ayant besoin de solutions de conversion d’énergie offrant une efficacité, une capacité de tension et une fiabilité accrues.

Navitas Semiconductor se concentre sur les semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération, en particulier les technologies au nitrure de gallium (GaN) et au carbure de silicium (SiC) haute tension, favorisant l’innovation dans les centres de données d’intelligence artificielle, le calcul haute performance, l’énergie et les infrastructures de réseau, ainsi que l’électrification industrielle. Magnachip Semiconductor conçoit et fabrique des solutions de plateforme de semi-conducteurs analogiques et mixtes pour les secteurs industriel, automobile, des communications, de la consommation et de l’informatique. Les deux parties concluent que cette collaboration vise à accélérer l’adoption de la technologie du carbure de silicium haute et très haute tension, en soutenant les applications de conversion d’énergie de nouvelle génération sur plusieurs marchés de forte puissance, grâce à la licence technologique, au soutien de la chaîne d’approvisionnement et à la certification technologique dans l’usine coréenne de Magnachip.