fr.wedoany.com Rapport : Le 27 juillet, Samsung Electronics a publié une interview de Koo Ja-heum, directeur du développement technique de la division semi-conducteurs de l'entreprise. Samsung a officiellement dévoilé la feuille de route technologique clé de sa huitième génération de mémoire à large bande passante (HBM5).
Koo Ja-heum a annoncé que la vitesse de fonctionnement de la prochaine mémoire HBM5 de Samsung devrait être supérieure de plus de 50 % à celle de la HBM4E précédente, et que le die de base (Base Die) de la HBM5 adoptera historiquement un procédé 2 nm basé sur la structure de transistor à grille enveloppante (GAA). C'est la première fois dans l'industrie mondiale des semi-conducteurs que le procédé de pointe 2 nm est explicitement appliqué à la fabrication du die de base de la mémoire HBM.
En ce qui concerne les spécifications techniques et l'évolution architecturale, Koo Ja-heum a précisé en détail dans l'interview exclusive qu'avec l'itération des produits HBM vers des générations supérieures, les exigences de l'industrie en matière de performances de traitement des données et d'efficacité énergétique globale deviennent extrêmement strictes. Pour répondre à la demande insatiable de puissance de calcul dans les domaines de l'intelligence artificielle et du supercalcul, la HBM5, en plus d'introduire pleinement le procédé GAA 2 nm, intégrera également au niveau de la puce de base une technologie d'interconnexion par TSV (Through Silicon Via) à plus haute densité et intégration.
Par rapport à la structure FinFET traditionnelle, l'architecture GAA permet à la grille d'envelopper complètement le canal de courant sur quatre côtés, offrant un contrôle plus précis du courant, ce qui améliore considérablement les performances de transfert de données tout en réduisant considérablement la consommation d'énergie globale.
Concernant le rythme de mise en œuvre du saut de nœud de procédé, Samsung a fourni une feuille de route claire.
Koo Ja-heum a souligné que Samsung avait précédemment appliqué le procédé mature 4 nm de quatrième génération à la fabrication des puces de base des HBM4 et HBM4E. Fort de l'expérience riche, des données de rendement et de la compétitivité technologique de base accumulées lors du développement et de la production en série des puces de base HBM4 en 4 nm, Samsung Electronics a décidé d'adopter une stratégie technologique plus agressive, en introduisant directement le procédé GAA 2 nm dès la génération HBM5.
Parallèlement, Koo Ja-heum a souligné dans l'interview l'avantage unique du système de production « clé en main » (Turnkey) de Samsung Electronics dans l'industrie. Il a expliqué que la HBM est un produit complexe empilant des dies de mémoire centrale (Core Die) et des puces logiques de base. Samsung est capable de réaliser une boucle fermée interne complète, de la fabrication des puces centrales par la division mémoire, à la fabrication des puces de base par la division fonderie, jusqu'à l'intégration hétérogène finale par l'équipe d'assemblage avancé. Ce mode de collaboration synergique et autonome sur toute la chaîne réduit considérablement le cycle de développement et le temps de production en série de la HBM5, tout en offrant un avantage significatif en matière de contrôle des coûts de fabrication.
De plus, Koo Ja-heum a révélé l'avancement global du procédé 2 nm de la fonderie Samsung : après avoir été le premier au monde à lancer la production en série du procédé GAA 3 nm, Samsung a démarré la production en série de la première génération du procédé 2 nm au second semestre 2025, et prévoit de lancer la production en série de la deuxième génération du procédé 2 nm, avec des performances et un rendement encore améliorés, au second semestre 2026. Actuellement, les commandes des principaux clients, dont Tesla, continuent de croître.
Envisageant le développement global de l'écosystème des semi-conducteurs, Koo Ja-heum a indiqué que Samsung Electronics ne se limite pas aux domaines actuellement en vogue des accélérateurs d'IA et du calcul haute performance (HPC). Avec l'intégration et le déploiement de technologies de pointe telles que le procédé 2 nm et la HBM5, Samsung étend activement sa coopération approfondie avec un plus large éventail de clients industriels.
L'entreprise prévoit d'appliquer largement ses HBM avancées et ses services de fonderie personnalisés à des domaines matériels émergents tels que les terminaux mobiles intelligents, les plateformes électroniques automobiles de nouvelle génération et les robots de pointe. En renforçant la puissance de calcul et le stockage sous-jacents dans divers secteurs, Samsung Electronics s'engage à diriger la croissance et le développement de l'écosystème mondial des semi-conducteurs.
