fr.wedoany.com Rapport : Le 30 juillet, selon les informations de Samsung Electronics, le projet de la deuxième usine de fonderie de puces que l'entreprise prévoit de construire à Taylor, au Texas, aux États-Unis, devrait commencer sa construction à la fin de cette année.

Lors de la conférence téléphonique sur les résultats financiers tenue le même jour, Samsung Electronics a présenté son plan de développement commercial pour le second semestre. La société a indiqué que l'expansion de la capacité de production des procédés avancés de la fonderie ne suit pas actuellement le rythme de la croissance de la demande. Le projet de la première usine de fonderie à Taylor, aux États-Unis, progresse de manière ordonnée dans le cadre de l'objectif de mise en production en 2026. L'entreprise se prépare à lancer la construction de la deuxième usine de fonderie à Taylor à la fin de cette année, et prévoit que cette usine sera mise en production en 2030 afin de répondre à la demande croissante.

Samsung Electronics prévoit que la pénurie de puces mémoire s'aggravera encore l'année prochaine, les fournisseurs de services cloud à très grande échelle augmentant leurs investissements dans les infrastructures d'intelligence artificielle (IA), ce qui stimulera davantage la demande de serveurs, de disques SSD et de mémoire à large bande passante (HBM). Samsung a indiqué avoir signé des contrats avec les cinq plus grands clients de centres de données au monde, et que les négociations avec cinq autres grands clients liés à l'IA sont en phase finale. Selon les spéculations du secteur, les « cinq plus grands clients de centres de données » mentionnés par Samsung sont Amazon Web Services, Microsoft, Google, Meta et Oracle.

Samsung prévoit qu'au troisième trimestre, les ventes de mémoire à large bande passante de sixième génération (HBM4) augmenteront de plus de deux fois par rapport au trimestre précédent, et qu'au second semestre, les ventes de HBM4 représenteront plus de 60 % des ventes totales de HBM. Samsung a proposé d'augmenter sa part de marché mondiale de HBM au second semestre à un niveau comparable à celui de la mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (DRAM). Au premier trimestre de cette année, la part de marché mondiale de la DRAM de Samsung Electronics était de 38 %.