fr.wedoany.com Rapport : SK Hynix a annoncé le 4 août qu'en collaboration avec SanDisk, elle a publié la première spécification standard de la nouvelle technologie de stockage à mémoire flash à haute bande passante (HBF, High Bandwidth Flash). Cette spécification a été dévoilée le jour de l'ouverture du salon FMS 2026 à Santa Clara, en Californie, seulement six mois après la conclusion de l'alliance entre les deux entreprises.
Le HBF vise un positionnement intermédiaire entre la mémoire à haute bande passante (HBM), réputée pour sa vitesse de traitement des données, et les disques SSD, qui excellent dans le stockage à grande capacité. Alors que les modèles d'IA d'inférence ne cessent de s'agrandir et que le volume de données augmente rapidement, les architectures mémoire existantes peinent à concilier vitesse et capacité. Le HBF adopte des configurations NAND empilées à 8 et 16 couches, prenant en charge une capacité maximale de 512 Go, et offre une bande passante de 0,4 To/s à 3,0 To/s selon les niveaux de performance.
Pour favoriser l'adoption de cette technologie, la norme s'attache également à bâtir un écosystème ouvert. En adoptant l'interface standard de l'industrie UCIe, le HBF peut se connecter de manière flexible à divers processeurs tels que les GPU et les CPU, et les spécifications associées ont déjà été publiées par l'OCP (Open Compute Project), la plus grande organisation de collaboration sur les centres de données au monde. Actuellement, Google et Tenstorrent ont rejoint l'alliance HBF pour faire progresser conjointement le développement de cette technologie.
Sur le salon, SK Hynix a proposé que l'adaptation à l'ère de l'« IA agentique » nécessite la construction d'une architecture mémoire hiérarchisée. Le responsable de division Kim Cheon-seong et le directeur Kang Wook-sung prononceront des discours d'ouverture, estimant que le volume de données en expansion rapide ne peut être géré par aucun produit de stockage unique, et que l'intégration et l'optimisation de divers types de mémoire aux caractéristiques différentes dans un cadre unifié constituent la pierre angulaire de l'infrastructure d'IA de nouvelle génération.
Les discussions de coopération avec les grandes entreprises technologiques mondiales se poursuivront également. Le 6 août aura lieu une table ronde axée sur le franchissement du « mur de la mémoire », avec la participation de représentants de Google DeepMind et de SanDisk, où des représentants d'entreprises des secteurs de la mémoire, du stockage et des logiciels d'IA examineront ensemble les changements structurels et les améliorations de performance que le HBF pourrait apporter dans des environnements de service réels.
La nouvelle technologie NAND est également présentée en démonstration physique sur le stand. SK Hynix a exposé pour la première fois au monde la tranche et les produits NAND 4D de dixième génération (V10) à 375 couches actuellement en cours de développement, dont les performances par watt sont 2,5 fois supérieures à celles de la génération précédente, et qui ont été optimisés pour les environnements de centres de données d'IA sensibles à la consommation d'énergie.
L'entreprise prévoit de lancer la production en série de SSD d'entreprise (eSSD) hautes performances utilisant la NAND à 375 couches au début de l'année prochaine.
Kim Cheon-seong a déclaré : « La généralisation de l'IA rend nécessaire une refonte fondamentale de l'architecture de traitement des données. Grâce au HBF, nous souhaitons briser la frontière entre mémoire et stockage, et contribuer à améliorer l'efficacité globale des systèmes. »
