Infineon Technologies fabrique en Autriche des wafers de puissance en carbure de silicium de 300 mm

fr.wedoany.com Rapport : Le 9 novembre, le fabricant allemand de semi-conducteurs Infineon a réussi à fabriquer des dispositifs de puissance semi-conducteurs fonctionnels à partir de wafers en carbure de silicium de 300 mm dans son usine de Villach, en Autriche, validant ainsi la faisabilité industrielle de ce format de wafer en carbure de silicium dans un environnement de fabrication de semi-conducteurs de niveau industriel. Cette opération a été réalisée sur des équipements existants de fabrication de semi-conducteurs à base de silicium, faisant passer les dispositifs de puissance en carbure de silicium de la recherche en laboratoire à la validation de procédé en usine réelle. Selon les données fournies par Infineon, le nombre de puces produites par wafer de 300 mm est environ 2,3 fois supérieur à celui d'un wafer de 200 mm.

Cette réalisation a été obtenue en utilisant les équipements existants de fabrication de semi-conducteurs en silicium de l'usine de Villach. Infineon a introduit le matériau carbure de silicium de 300 mm dans un environnement de fabrication de niveau industriel et a réussi à fabriquer des dispositifs de puissance fonctionnels, validant ainsi la faisabilité technique du traitement de wafers en carbure de silicium de plus grand diamètre par le parc d'équipements existant. L'entreprise positionne ce résultat comme un jalon de validation préalable à l'industrialisation future de la technologie carbure de silicium de 300 mm, et prévoit d'élaborer avec ses clients et partenaires industriels le calendrier de développement des procédés et d'augmentation des capacités de production.

Le site de recherche et de fabrication d'Infineon à Dresde, en Allemagne, a parallèlement validé la faisabilité de la technologie de séparation à froid (Cold Split) des wafers en carbure de silicium de 300 mm. Ce procédé permet de séparer les wafers à partir des lingots de carbure de silicium ; comparé au sciage traditionnel par fil, il réduit les pertes de matière et raccourcit le temps de traitement, permettant d'obtenir davantage de wafers à partir d'un même lingot. La validation de la séparation des wafers à Dresde et les résultats de fabrication des dispositifs de puissance à Villach couvrent respectivement deux étapes du procédé : la préparation des substrats en carbure de silicium et la fabrication des dispositifs sur wafer.

Infineon poursuivra le développement de sa feuille de route existante de fabrication en carbure de silicium de 200 mm, tout en établissant, en fonction des besoins de ses clients, le calendrier de développement des procédés carbure de silicium de 300 mm et de l'augmentation future des capacités de production. Son portefeuille de produits semi-conducteurs de puissance CoolSiC cible des applications telles que les onduleurs de traction des véhicules à énergie nouvelle, les chargeurs embarqués, les infrastructures de recharge, le stockage d'énergie à grande échelle, les entraînements industriels et les systèmes d'alimentation des centres de données. L'entreprise identifie également les transformateurs statiques, les disjoncteurs statiques et les unités d'alimentation comme applications potentielles de la technologie carbure de silicium dans les centres de données d'intelligence artificielle.

Infineon prévoit de présenter le wafer en carbure de silicium de 300 mm ainsi fabriqué lors du salon international des composants électroniques 2026 (electronica 2026), qui se tiendra du 10 au 13 novembre à Munich, en Allemagne, sur le stand 502 du hall C3. Ce wafer sera exposé comme la concrétisation physique de cette validation de procédé.