fr.wedoany.com Rapport : Lors du Computex 2026 à Taipei, Navitas Semiconductor a présenté une carte d'alimentation CC-CC de 800 V à 6 V pour la plateforme NVIDIA MGX. Ce produit utilise la technologie GaNFast, éliminant l'étage de conversion intermédiaire à bus 48 V traditionnel dans le tiroir serveur, améliorant ainsi l'efficacité du système, la fiabilité et économisant de l'espace.
Cette carte d'alimentation intègre 16 FET GaNFast d'une tension nominale de 650 V et d'une résistance à l'état passant de 11 mΩ, utilisant le dernier boîtier DFN8×8 à double refroidissement. L'efficacité maximale visée est de 97,5 %, avec une fréquence de fonctionnement de 1 MHz et une densité de puissance atteignant 2100 W par pouce cube. Son profil ultra-mince est environ 20 % plus fin qu'un téléphone mobile, permettant une intégration très proche de la carte GPU pour optimiser les performances transitoires et améliorer l'efficacité de distribution électrique.
Chris Allexandre, président-directeur général de Navitas Semiconductor, a déclaré qu'avec l'expansion continue des charges de travail d'intelligence artificielle et la demande de calcul sans précédent qu'elles génèrent, l'alimentation électrique est devenue un défi clé pour la réalisation de la prochaine génération d'usines intelligentes à l'échelle du gigawatt. En collaborant avec l'écosystème NVIDIA MGX, Navitas fournit des technologies de puissance en nitrure de gallium et carbure de silicium, permettant aux baies de serveurs d'IA de niveau mégawatt d'atteindre une densité de puissance plus élevée, une empreinte système réduite et des performances thermiques améliorées, accélérant ainsi la transition vers une infrastructure d'IA plus efficace et évolutive.
Navitas Semiconductor propose un portefeuille complet de technologies de puissance à large bande interdite, jetant les bases de l'infrastructure des usines d'IA de nouvelle génération. Sa solution GeneSiC en carbure de silicium prend en charge une alimentation efficace du réseau électrique aux baies informatiques, couvrant des applications clés telles que les transformateurs à état solide. Les produits incluent des modules de puissance en carbure de silicium à très haute tension de 2300 V et 3300 V, ainsi que des unités d'alimentation triphasées haute puissance basées sur des MOSFET en carbure de silicium de 1200 V de la dernière technologie de cinquième génération. Ces technologies aident ensemble les centres de données à améliorer l'efficacité, la densité de puissance et la fiabilité du système.
La technologie GaNFast de Navitas permet une conversion CC-CC à haute fréquence et haute efficacité pour répondre à la demande croissante en énergie des GPU d'IA. Grâce aux performances de commutation exceptionnelles du nitrure de gallium, cette solution peut fonctionner à des fréquences de l'ordre du mégahertz, offrant une densité de puissance plus élevée et une réponse transitoire plus rapide, permettant à l'énergie d'être acheminée efficacement du niveau du rack directement au GPU.
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