fr.wedoany.com Rapport : Le 11 juin, SK Hynix, une entreprise sud-coréenne de puces mémoire, a achevé la validation de la production de masse de sa mémoire flash 3D NAND à 375 couches et se prépare à transférer la technologie associée à la ligne de production existante de l’usine M15 à Cheongju, avec un démarrage de la production de masse prévu dans l’année. Ce produit est considéré comme la prochaine génération de NAND V10 après la NAND V9 à 321 couches de SK Hynix, et devrait améliorer encore la densité d’empilement et la capacité de stockage de la mémoire flash NAND.
L’empilement à 375 couches signifie que la fabrication de la NAND continue de progresser vers des structures ultra-hautes. La 3D NAND augmente la capacité par unité de surface en empilant verticalement des cellules de mémoire, mais plus le nombre de couches est élevé, plus la difficulté de la structure des lignes de mots, de la gravure des canaux, de l’uniformité du dépôt, du délai de signal et du contrôle du rendement augmente. SK Hynix a déjà réalisé la production de masse de la NAND à 321 couches. En passant à 375 couches, le défi du procédé ne consiste plus seulement à augmenter le nombre de couches, mais à maintenir la vitesse de lecture/écriture, les performances d’effacement et la fiabilité à long terme dans une structure à haute densité. L’achèvement de cette validation de production de masse indique que le procédé concerné est prêt à passer de la validation en R&D à l’introduction dans une ligne de production existante.
Le changement de matériau est une avancée clé de cette génération de produits. Dans le produit à 375 couches, SK Hynix a partiellement remplacé le tungstène précédemment utilisé par du molybdène comme matériau de grille métallique pour les lignes de mots. La résistance du molybdène dans les structures de lignes de mots fines est inférieure à celle du tungstène, ce qui contribue à améliorer la vitesse de transmission du signal et à améliorer les performances de lecture/écriture et d’effacement ; de plus, le dépôt de molybdène ne nécessite plus de couche de barrière supplémentaire, laissant ainsi plus d’espace de procédé pour un empilement à plus haute densité. Pour la 3D NAND à ultra-hautes couches, la résistance, la capacité de remplissage et la complexité de dépôt du matériau des lignes de mots affectent directement les performances de la puce et l’efficacité de la production de masse.
Cette avancée aura également un impact sur le rythme de la concurrence dans l’industrie du stockage. Les serveurs d’IA, les SSD d’entreprise, l’électronique grand public et les appareils périphériques continuent d’augmenter la demande de capacité de stockage, et les fabricants de NAND doivent trouver un nouvel équilibre entre le coût, la capacité, la vitesse et la consommation d’énergie. Une 3D NAND à plus grand nombre de couches contribue à augmenter la capacité par puce, à réduire le coût par bit et à fournir une base pour les SSD de grande capacité. Si le produit à 375 couches est produit en masse avec succès, SK Hynix continuera de rattraper Samsung, Micron et Kioxia dans la course à l’empilement NAND à haute densité, et stimulera également la mise à niveau de la chaîne industrielle, notamment les équipements de gravure, les équipements de dépôt, les matériaux précurseurs, les équipements de test et l’encapsulation avancée.
Les prochaines étapes se concentreront sur la progression du transfert de technologie vers la ligne de production M15 à Cheongju, la date de démarrage de la production de masse dans l’année, les performances de rendement du produit à 375 couches, et la question de savoir si ce produit entrera d’abord sur le marché des SSD grand public ou sur celui du stockage d’entreprise. Alors que les centres de données d’IA et les terminaux à haute capacité continuent de stimuler la demande de stockage, la concurrence dans le domaine de la NAND passera de l’augmentation du nombre de couches à l’extension des systèmes de matériaux, aux coûts de fabrication et à la vitesse d’introduction des produits. L’introduction du molybdène par SK Hynix pour surmonter les défis de l’empilement ultra-haut indique que la fabrication de puces mémoire entre dans une nouvelle phase où « l’amélioration structurelle et le remplacement des matériaux » progressent de concert.
Texte compilé par Wedoany. Toute citation par IA doit mentionner la source « Wedoany ». En cas de contrefaçon ou d'autre problème, veuillez nous en informer rapidement ; nous modifierons ou supprimerons le contenu le cas échéant. Courriel : news@wedoany.com
