fr.wedoany.com Rapport : Le fabricant de semi-conducteurs Nexperia annonce l'extension de sa gamme de transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) de puissance industrielle 650 V, avec l'ajout de trois nouvelles références de 35 mΩ, 50 mΩ et 70 mΩ, toutes disponibles dans les boîtiers standard du secteur TO-247-3, TO-247-4, TOLL et TOLT. Cette série de composants est principalement destinée aux applications exigeant une conversion de puissance rigoureuse, telles que les alimentations pour centres de données et télécommunications, les systèmes d'énergie renouvelable, le stockage d'énergie par batteries (BESS), ainsi que l'entraînement et l'automatisation industriels.

Le contexte de marché qui motive cette extension comprend : la croissance rapide de l'informatique IA, qui fait passer les besoins en alimentation des baies de moins de 3 kW à des niveaux de 5 à 12 kW ; et la tendance à l'électrification des énergies renouvelables et de l'industrie, qui exige des fréquences de commutation et des rendements plus élevés. Dans cette dynamique, la technologie à large bande interdite, dont le GaN est un représentant, est considérée comme une voie clé pour atteindre une efficacité accrue, des dimensions système réduites et une meilleure gestion thermique dans les architectures de conversion de puissance de nouvelle génération.

Andrea Bricconi, vice-président et directeur du groupe Produits GaN chez Nexperia, a déclaré que la transition vers les semi-conducteurs de puissance à large bande interdite s'accélère dans les applications industrielles, énergétiques et d'infrastructure IA, et que l'entreprise s'engage à rendre la technologie GaN plus accessible et évolutive pour les concepteurs d'applications de haute puissance. Cette extension de la gamme de produits n'est que le début de son déploiement dans le domaine de la large bande interdite.

Au niveau système, ces composants GaN repoussent les limites de performance des solutions silicium traditionnelles grâce à des fréquences de commutation plus élevées et à des pertes de commutation et de conduction réduites. Les concepteurs peuvent ainsi obtenir une densité de puissance et un rendement accrus, tout en réduisant les besoins de refroidissement et le coût total du système. La fréquence de commutation plus élevée permet également d'utiliser des composants passifs et magnétiques plus petits, favorisant des architectures de puissance plus compactes et évolutives.

Dans un étage LLC haute puissance typique d'une alimentation de serveur IA de 10 à 12 kW, l'utilisation de composants GaN permet une amélioration du rendement d'environ 0,8 à 1,2 % en pleine charge par rapport aux composants silicium, tout en offrant une augmentation de la densité de puissance d'environ 40 à 70 % au niveau de l'étage. Dans un variateur de moteur haute tension typique de 1 kW, les composants GaN peuvent réduire les pertes de puissance de l'onduleur d'environ 20 à 25 %, permettant une amélioration du rendement d'environ 1 à 1,5 %, et favorisant des solutions de gestion thermique plus compactes ainsi qu'une densité de puissance globale plus élevée.

Ces composants sont basés sur la plateforme technologique GaN de Nexperia, offrant des caractéristiques de commutation rapide, de faibles pertes de commutation, un comportement dynamique contrôlé et des performances thermiques robustes. Ils sont disponibles dans une variété d'options de boîtiers standard du secteur afin d'optimiser les paramètres de conception électrique et mécanique, facilitant ainsi leur intégration dans les architectures de systèmes d'alimentation existants.

Les composants de 35 mΩ et 70 mΩ sont désormais disponibles en boîtiers TOLL, TOLT, TO-247-3 et TO-247-4. Le modèle de 50 mΩ devrait être lancé au troisième trimestre 2026.

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