ROHM lance un IGBT 650V de 4e génération, à faible perte pour véhicules et conforme à la norme AEC-Q101

fr.wedoany.com Rapport : ROHM (Japon) a annoncé le 18 avoir développé un IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) de 4e génération, résistant à 650 V, destiné aux compresseurs électriques pour véhicules, aux chauffages HV, aux onduleurs pour équipements industriels, etc. Ce produit offre les pertes les plus faibles de l’industrie parmi les IGBT 650 V pour véhicules, tout en présentant une capacité de court-circuit élevée, et est conforme à la norme de fiabilité automobile AEC-Q101.

En optimisant la structure du dispositif, y compris le procédé et la structure périphérique, le nouveau produit améliore la densité de courant et réduit les pertes de conduction et de commutation. La tension de saturation VCE, qui caractérise les faibles pertes de conduction, est de 1,55 V.

À une température de jonction Tj de 25 °C, le produit garantit une capacité de court-circuit de 7 µs, une performance généralement en compromis avec les faibles pertes. Cette caractéristique contribue à améliorer l’efficacité et la fiabilité des applications.

La gamme comprend 12 modèles en boîtier TO-247N (RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR) et 10 modèles en puce nue (SG83xxWN). Le développement de 12 modèles en boîtier TO-247-4L (RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR) est également en cours.

La production en série a débuté en mai avec un volume mensuel de 1 million d’unités. Les produits en boîtier TO-247N sont également disponibles à la vente en ligne. Tous les modèles de conception et les documents nécessaires à la conception de circuits sont disponibles et peuvent être téléchargés depuis le site officiel de ROHM.

ROHM prévoit d’étendre davantage de modèles dans le même boîtier et de développer des IGBT montés en surface de petite taille en boîtier TO-263L et en boîtier à refroidissement par le dessus (TSC), afin d’enrichir sa gamme de produits IGBT haute performance.