fr.wedoany.com Rapport : Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé le MOSFET de puissance à canal N 80 V « TPM1R408RH », fabriqué selon le procédé de dernière génération U-MOS11-H, destiné principalement aux alimentations à découpage des équipements industriels tels que les centres de données IA et les stations de base de télécommunications. Les expéditions commencent dès aujourd'hui.
L'échelle du traitement des données IA ne cesse de croître, entraînant une augmentation des besoins en énergie des centres de données ; le développement des infrastructures de télécommunications impose également des exigences plus élevées en matière d'efficacité, de miniaturisation (haute densité de puissance) et de faibles interférences électromagnétiques (EMI) pour les alimentations à découpage. Les pertes de puissance affectent directement la consommation électrique du système, la génération de chaleur et la charge de refroidissement. Il est donc nécessaire d'utiliser des semi-conducteurs de puissance capables d'équilibrer la réduction des pertes par conduction et des pertes par commutation, afin d'optimiser les performances globales du système, y compris la suppression des EMI, la conception thermique et la facilité d'installation.
Le TPM1R408RH adopte une structure de dispositif optimisée, avec une résistance à l'état passant drain-source (valeur maximale) de 1,4 mΩ, soit une réduction d'environ 26 % par rapport au produit Toshiba 80 V de génération précédente fabriqué selon le procédé U-MOS X-H, le « TPM1R908QM ». De plus, ce produit améliore l'équilibre entre la résistance à l'état passant drain-source (RDS(ON)) et la charge totale de grille (Qg), avec un facteur de mérite RDS(ON)×Qg réduit d'environ 45 % par rapport au TPM1R908QM. Ces caractéristiques permettent d'obtenir des pertes de puissance parmi les plus faibles du secteur.
Le TPM1R408RH peut également supprimer les tensions de pointe générées entre le drain et la source pendant la commutation, contribuant ainsi à réduire les EMI dans les alimentations à découpage. La suppression des EMI nécessite généralement des reprises en fin de conception, mais la réduction de la tension de pointe du dispositif lui-même diminue le besoin de reprises et simplifie les circuits de filtrage et d'amortissement.
Le nouveau produit est conditionné dans un boîtier SOP Advance (E). Par rapport au boîtier SOP Advance (N) existant de Toshiba, la résistance du boîtier est réduite d'environ 65 % et la résistance thermique d'environ 15 %. En limitant l'échauffement et en améliorant les performances de dissipation thermique, ce boîtier permet de prendre en charge des puissances de sortie plus élevées et des conceptions d'alimentation plus compactes.
Toshiba propose également des outils de support pour la conception de circuits d'alimentation à découpage. Outre les modèles SPICE G0 permettant une vérification rapide des fonctions du circuit, des modèles SPICE G2 de haute précision capables de reproduire avec exactitude les caractéristiques transitoires sont désormais disponibles. Le simulateur de circuits en ligne sur le site Web de Toshiba permet aux utilisateurs de vérifier directement le fonctionnement du circuit dans un navigateur Web, sans avoir à configurer un environnement de simulation ni à télécharger de modèles de dispositifs.
Toshiba continuera d'élargir sa gamme de MOSFET de puissance contribuant à améliorer l'efficacité énergétique, afin de contribuer à réduire la consommation électrique des équipements industriels.
Ce produit convient aux équipements industriels tels que les alimentations à découpage des centres de données IA et des stations de base de télécommunications. Ses principales caractéristiques incluent : une faible résistance à l'état passant drain-source, RDS(ON) de 1,4 mΩ (valeur maximale, VGS = 10 V, ID = 50 A, Ta = 25 °C) ; un faible produit résistance à l'état passant drain-source × charge totale de grille, RDS(ON)×Qg de 1,4 mΩ × 80 nC = 112 mΩ·nC (soit une réduction d'environ 45 % par rapport au TPM1R908QM avec 1,9 mΩ × 108 nC = 205,2 mΩ·nC) ; et un boîtier SOP Advance (E) à faible résistance et faible résistance thermique. Les principales spécifications (sauf indication contraire, Ta = 25 °C) sont les suivantes :
Note : [1] En date de juin 2026, basé sur le procédé MOSFET de puissance basse tension de Toshiba. [2] VGS = 10 V, ID = 50 A, Ta = 25 °C. [3] Enquête Toshiba en date de juin 2026.
