fr.wedoany.com Rapport : Récemment, les puces RF en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) destinées aux terminaux intelligents, développées indépendamment par le CETC 55, ont dépassé les 5 millions d’unités livrées. Ces produits sont utilisés dans les chaînes RF des terminaux intelligents, marquant l’entrée en phase de commercialisation à grande échelle des puces RF GaN-on-Si dans le secteur des terminaux. Cela fournit également un support de puces amplificatrices de puissance RF à plus faible coût et à meilleures performances pour les réseaux d’information intégrés air-espace-terre, les communications 6G, le spatial commercial, l’économie de basse altitude et les communications d’urgence.
Le point clé de cette réalisation ne réside pas seulement dans le « dépassement des 5 millions d’unités livrées », mais dans le fait que la voie technologique du GaN-on-Si commence à passer des scénarios spécialisés haut de gamme à des applications de terminaux intelligents à plus grande échelle. Les puces amplificatrices de puissance RF sont souvent considérées comme le « cœur du signal » des systèmes de communication, car elles déterminent la puissance, l’efficacité, la linéarité et la stabilité du signal émis par le terminal, influençant directement la portée de couverture, la qualité de la liaison, le débit de transmission et l’autonomie de l’appareil. Les dispositifs traditionnels en nitrure de gallium (GaN) offrent une densité de puissance élevée, une haute efficacité et des caractéristiques haute fréquence, mais leur coût, leur maturité de procédé, leur rendement et leur capacité de fabrication à grande échelle limitent depuis longtemps leur application sur le marché des terminaux à grande échelle. Le GaN-on-Si, en préparant un système de matériaux GaN sur un substrat de silicium, combine les avantages de hautes performances du GaN avec le coût et la base de fabrication des procédés sur silicium, ce qui le rend plus adapté pour faire passer les puces RF des terminaux d’applications à petite échelle à des livraisons de millions, voire de dizaines de millions d’unités. Le CETC 55 et sa filiale, Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd., ont mené des recherches sur toute la chaîne, couvrant l’épitaxie des matériaux, la conception indépendante des puces, la validation des procédés complets et les tests de fiabilité des produits, développant ainsi une gamme de produits incluant les sous-systèmes de communication de charge utile satellitaire, les terminaux de communication et modules de transmission de données pour plateformes de basse altitude, les stations terriennes et les puces RF pour terminaux intelligents. Cela jette les bases pour que la technologie GaN-on-Si passe d’une avancée ponctuelle à une application industrielle.
Les réseaux d’information intégrés air-espace-terre imposent des exigences plus complexes aux puces RF : les terminaux doivent maintenir une connexion stable entre les réseaux cellulaires terrestres, les liaisons de communication par satellite, les plateformes de basse altitude et les environnements de communication d’urgence. Les puces amplificatrices de puissance doivent non seulement offrir une haute efficacité, mais aussi une large bande de fréquences, une linéarité élevée et une grande fiabilité.
Du point de vue des applications industrielles, les puces PA (amplificateur de puissance) à faible coût et hautes performances deviennent des composants clés pour la mise à niveau des terminaux de communication futurs. La recherche sur la 6G, le spatial commercial, l’économie de basse altitude, les systèmes sans pilote, les communications d’urgence et l’accès large bande dans les zones reculées nécessitent tous que davantage de terminaux disposent de capacités de communication multi-scénarios. Si le coût des puces RF est trop élevé, leur consommation d’énergie trop importante ou leur fiabilité insuffisante, il sera difficile de déployer à grande échelle les réseaux air-espace-terre dans les terminaux ordinaires, les plateformes de basse altitude, les appareils portables et les terminaux spécialisés. La commercialisation à grande échelle des puces RF GaN-on-Si signifie que les capacités de haute puissance, haute efficacité, ultra-large bande et haute fiabilité peuvent entrer dans un plus large éventail de systèmes d’appareils à un coût plus maîtrisable. Pour les fabricants de terminaux, cela contribue à améliorer la stabilité des liaisons de communication et la capacité d’adaptation multi-scénarios ; pour les opérateurs et les entreprises d’Internet par satellite, l’amélioration des capacités RF côté terminal peut améliorer la qualité de connexion dans les zones de couverture limites et les environnements à faible signal ; pour l’économie de basse altitude et les scénarios de communication d’urgence, les puces PA hautes performances sont directement liées à la capacité de transmission fiable des drones, des plateformes de basse altitude, des terminaux de commandement mobiles et des équipements de communication sur le terrain.
La valeur future de ces puces dépendra de la capacité de production en série continue, de la vitesse d’adaptation des clients de terminaux, de la couverture des produits dans différentes bandes de fréquences et des résultats de validation de fiabilité. Le dépassement des 5 millions d’unités livrées a déjà prouvé que les puces RF GaN-on-Si ont la base nécessaire pour entrer sur le marché de masse des terminaux. Cependant, pour passer d’une percée sur un seul produit à un écosystème industriel, une collaboration plus étroite avec les fabricants de modules, les fabricants de terminaux complets, les équipementiers de communication et les intégrateurs de systèmes est nécessaire. Avec l’accélération de la construction des réseaux d’information intégrés air-espace-terre, les puces RF passeront du statut de composants de base de la chaîne industrielle des communications à celui de capacité fondamentale déterminant la couverture globale et l’expérience de connectivité à haut débit.
Texte compilé par Wedoany. Toute citation par IA doit mentionner la source « Wedoany ». En cas de contrefaçon ou d'autre problème, veuillez nous en informer rapidement ; nous modifierons ou supprimerons le contenu le cas échéant. Courriel : news@wedoany.com









