fr.wedoany.com Rapport : SK Hynix a ajusté le plan produit de sa prochaine génération de mémoire flash 3D-NAND. Sa dixième génération (V10) adoptera une technologie d’empilement à 375 couches et introduira du molybdène pour remplacer partiellement les films de tungstène dans le processus, afin de relever les défis de connexion électrique liés à un nombre élevé de couches.
La neuvième génération (V9) de l’entreprise atteignait déjà 321 couches, soit le plus haut niveau d’empilement en production de masse de NAND flash. Le passage de V9 à V10 représente une augmentation de 54 couches, une progression relativement prudente. Selon le média sud-coréen The Elec, citant des sources industrielles, SK Hynix avait auparavant envisagé 400 couches pour V10, mais a réduit cet objectif en raison de « difficultés de fabrication ». En comparaison, le concurrent Samsung, avec sa dixième génération V10, passe de 286 couches (V9) à plus de 400 couches, probablement autour de 430.
Avec l’augmentation du nombre de couches empilées de cellules de mémoire, la complexité des connexions électriques s’accroît. Dans sa structure à 375 couches, SK Hynix remplace une partie des films de tungstène dans les lignes de mots (word lines) par du molybdène. La largeur des conducteurs continue de diminuer, ce qui augmente la résistance du tungstène et affecte la transmission des signaux ; le molybdène, avec une résistance plus faible, permet d’améliorer les vitesses de lecture et d’écriture. De plus, le molybdène ne nécessite pas de couche barrière supplémentaire lors du dépôt, contrairement au tungstène, et peut former un film directement, facilitant ainsi une structure à plus haute densité. Cependant, le rapport souligne que la nouvelle technologie impose des exigences techniques élevées.
Selon la feuille de route de SK Hynix, des sources industrielles indiquent que les générations suivantes (probablement V11 et V12) augmenteront encore le nombre de couches, atteignant respectivement 480 et 608 couches. Du côté de Samsung, des essais préliminaires récents ont réussi à empiler 900 couches, mais ce résultat est encore loin d’une production de masse.
En ce qui concerne le calendrier de production, les informations compilées par l’institut d’études de marché TrendForce montrent que le NAND à 375 couches de SK Hynix devrait entrer en production de masse fin 2026 ; le NAND à plus de 400 couches de Samsung est prévu pour le second semestre 2026 ; et le BiCS10 (332 couches) de Kioxia pourrait être produit en masse au cours de l’exercice 2026 ou début 2027. Bien que le nombre de couches soit relativement faible, le BiCS10, présenté par Kioxia avec son partenaire Sandisk à l’ISSCC, avait atteint la plus haute densité de stockage à l’époque, soit près de 5 GB/mm².
Alors que les principaux concurrents avancent vers leurs dixièmes générations, Micron reste silencieux. Après G9 (276 couches), Micron prévoit de lancer G10, mais les informations publiques sont très rares. Selon un article d’EE World, G10 devrait adopter la technologie « Confined Storage Node (Confined SN) » pour réduire les interférences entre cellules, améliorant ainsi la durée de vie des cellules de mémoire et réduisant le temps d’écriture d’environ 10 %.
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