fr.wedoany.com Rapport : Applied Materials, Inc. a dévoilé deux nouveaux systèmes de fabrication de puces conçus pour relever les défis de l'usinage de précision dans les structures semi-conductrices 3D avancées. Ces deux systèmes, dédiés respectivement au dépôt et à la gravure, aident les fabricants de puces à poursuivre la miniaturisation dans les domaines de la logique et du stockage, offrant ainsi des performances accrues, une meilleure efficacité énergétique et un rendement de fabrication amélioré pour les puces d'IA de nouvelle génération.
L'essor du calcul IA accélère la transition de l'industrie vers des architectures de dispositifs 3D avancées, telles que les transistors à grille enveloppante (GAA) et les mémoires 3D NAND à haute densité de couches. À mesure que les caractéristiques de ces structures verticales deviennent plus profondes et plus étroites, les procédés traditionnels de dépôt et de gravure peinent à répartir uniformément les matériaux du haut vers le bas, entraînant des variations qui dégradent les performances électriques et le rendement. Pour relever ce défi, Applied Materials lance les systèmes Centris™ Spectral™ SiN ALD et Producer™ Selectra™ Mo. Ensemble, ces deux systèmes offrent aux fabricants de puces un contrôle précis du dépôt de films diélectriques et du retrait de métaux dans les structures à rapport d'aspect élevé, permettant une ingénierie des matériaux plus homogène, soutenant la miniaturisation 3D continue et apportant de meilleures performances des dispositifs, un contrôle de procédé plus strict et une fabricabilité améliorée.
Le Dr Prabu Raja, président du groupe Produits semi-conducteurs d'Applied Materials, a déclaré qu'à mesure que l'industrie repousse les limites du calcul IA, les plus grandes opportunités se situent dans le domaine de l'ingénierie des matériaux. Les fabricants de puces ont besoin de nouvelles méthodes pour déposer et retirer sélectivement des matériaux avec précision dans des architectures 3D complexes, et les nouveaux systèmes offrent des capacités différenciées pour aider les clients à surmonter les obstacles à la miniaturisation et à accélérer l'innovation. Le système Centris Spectral SiN ALD utilise une technologie innovante de plasma micro-ondes à haute densité pour déposer des films de nitrure de silicium (SiN) de haute qualité à l'intérieur de structures profondes et étroites, éliminant le compromis traditionnel entre la densité du plasma et les dommages induits par les ions. Ce système permet un dépôt dense et uniforme de SiN à basse température, adapté à la miniaturisation continue des dispositifs DRAM et logiques, par exemple en formant des couches de contact de haute qualité dans les transistors GAA pour réduire la résistance et la capacité. Ce système repose sur la nouvelle plateforme Spectral ALD d'Applied Materials, qui adopte une conception à quatre réacteurs de pointe, équipée d'une distribution précise des produits chimiques, de capacités de traitement plasma et thermique multiples, ainsi que d'un matériel dédié aux opérations ALD temporelles et spatiales, permettant de créer une variété de films avancés pour les puces IA de pointe. Le système Spectral SiN ALD a déjà été adopté par les principaux fabricants de puces.
Le système de gravure Producer Selectra Mo introduit une nouvelle capacité de retrait sélectif des métaux, permettant une séparation précise et uniforme des lignes de mots dans l'ensemble de la pile 3D NAND. Grâce à un contrôle de procédé ingénieux et à une distribution avancée des gaz, ce système surmonte les limitations de la gravure humide dans les caractéristiques profondes, offrant une uniformité et une précision de profil exceptionnelles du haut vers le bas, contribuant à réduire les courants de fuite et à améliorer la rétention des données. La gravure Selectra Mo est déjà validée en production à grande échelle, soutenant la transition des procédés humides traditionnels vers la miniaturisation de la prochaine génération de 3D NAND, et étendant le portefeuille Selectra des applications diélectriques et silicium à l'intégration avancée des métaux, ouvrant de nouvelles opportunités dans les domaines NAND, DRAM et logique de fonderie.
Applied Materials présentera ces innovations lors du Symposium IEEE 2026 sur les technologies et circuits VLSI (2026 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits), et organisera une table ronde le 16 juin pour discuter de la manière dont l'architecture système, les technologies logiques et de stockage, l'encapsulation avancée et la fabrication peuvent être optimisées conjointement pour propulser le calcul piloté par l'IA.
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