fr.wedoany.com Rapport : Samsung a dévoilé sa feuille de route technologique pour les SSD de nouvelle génération lors du Symposium VLSI 2026, prévoyant d'empiler jusqu'à 1000 couches de mémoire flash NAND afin de quadrupler la capacité de stockage des SSD par rapport aux modèles actuels, ouvrant la voie à des disques grand public offrant jusqu'à 32 To.
Samsung ne prévoit pas de fabriquer une seule puce à 1000 couches, mais utilise plutôt la technologie de liaison multi-cellules (Cell-Multi Bonding, CMB) pour coller deux empilements NAND indépendants de 450 à 500 couches. L'entreprise indique que la demande de SSD de grande capacité augmente rapidement en raison des besoins croissants en stockage pour l'intelligence artificielle, les centres de données et les charges de travail d'entreprise. Samsung accélère sa feuille de route de développement NAND, prévoyant d'atteindre 420 couches d'ici 2029, plus de 560 couches d'ici 2030, puis de dépasser les 1000 couches au début de la décennie suivante.
La construction de puces NAND à plusieurs centaines de couches pose plusieurs défis, dont le plus important est la déformation des plaquettes qui réduit la précision de fabrication. Samsung a amélioré la stabilité des plaquettes pendant le processus de production grâce à une nouvelle conception de « mandrin supérieur » (Upper Chuck) et a développé des techniques avancées de correction de superposition pour réduire les erreurs d'alignement. Ces améliorations visent à rendre la fabrication de NAND à ultra-haut empilement plus pratique et à réduire les défis de production.
L'analyste technique Dr. Ian Cutress indique que la conception combinant deux empilements NAND de 450 couches en un seul via la liaison multi-cellules peut considérablement augmenter la capacité. Par exemple, un SSD QLC de 8 To utilisant la technologie actuelle pourrait être étendu à 32 To avec la future architecture à 1000 couches de Samsung.
Dans la course au développement de mémoires NAND à plus haute densité, SK Hynix a été le premier à commercialiser la technologie NAND à 321 couches et développe des NAND à 400 couches en utilisant le procédé de liaison hybride (Hybrid Bonding). Samsung explore quant à lui la technologie de liaison verticale (Vertical Bonding). Le fabricant chinois de mémoires YMTC a déjà produit des puces NAND à 232 et 294 couches et investit dans de nouvelles installations pour augmenter sa capacité de production.
La technologie NAND à 900-1000 couches de Samsung en est encore au stade de prototype, et les produits commerciaux devraient voir le jour vers 2030. Avant cela, l'entreprise prévoit de lancer des puces NAND de plus de 400 couches dans les années à venir, atteignant progressivement l'objectif à long terme de capacités de stockage bien supérieures à celles des modèles actuels.
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