L'Institut Fraunhofer pour les systèmes d'énergie solaire (Fraunhofer ISE) en Allemagne a récemment réalisé une avancée majeure dans la technologie photovoltaïque. Son équipe de recherche a démontré qu'en utilisant des couches de contact passivées par oxydation tunnel (TOPCon) de type n et p asymétriques, il est possible d'effectuer une absorption in situ des impuretés, améliorant significativement la qualité des tranches de silicium à croissance épitaxiale (EpiWafers). Cette innovation ouvre la voie à une production à grande échelle de cellules solaires à faible empreinte carbone.

La découverte clé est que les EpiWafers peuvent être directement utilisés pour la fabrication de cellules sans étape préalable d'absorption des impuretés. Lorsque la conception des cellules intègre un procédé d'absorption in situ, les couches de type n et p jouent efficacement ce rôle. Les tests ont montré que la durée de vie des porteurs de charge dans des tranches épitaxiales de 1,3 Ωcm est passée de 100 μs à plus de 1 ms, avec des performances comparables à celles des tranches de type « float-zone ».