fr.wedoany.com Rapport : Samsung Electronics a commencé à fournir à ses clients des échantillons de sa prochaine gamme de produits HBM4E (mémoire à large bande passante améliorée de quatrième génération) à 12 couches. Ce produit, qui atteint un nombre d’empilements sur une puce logique de 4 nanomètres, constitue une première dans ce domaine, marquant une avancée technologique pour la prochaine génération de mémoire à large bande passante (HBM). Contrairement aux solutions concurrentes qui empilent des produits DRAM sur un interposeur passif, ce produit avant-gardiste de Samsung utilise une fine couche de silicium pour acheminer les signaux entre la mémoire et le GPU.
Samsung indique que le HBM4E est conçu pour répondre aux besoins fondamentaux en mémoire de l’informatique IA et des infrastructures à grande échelle, offrant une vitesse de broche stable de 14 Gb/s, avec des performances extensibles jusqu’à 16 Gb/s, soit une amélioration de 20 % par rapport à la génération précédente HBM4, tout en atteignant une bande passante mémoire de 3,6 TB/s par empilement. Ce produit offre une capacité de 48 Go. L’entreprise sud-coréenne affirme que, par rapport à la génération précédente, la structure d’encapsulation améliorée permet une efficacité énergétique accrue de 16 % et une amélioration des caractéristiques de résistance thermique de plus de 14 %.
Samsung déclare que, depuis le début de la production de la gamme HBM4 en février, l’entreprise a reçu des retours clients et prévoit de lancer la production en série du HBM4E après l’expédition initiale des échantillons et leur optimisation. Sang Joon Hwang, vice-président exécutif et responsable du développement mémoire chez Samsung, a déclaré : « Après le succès de la production en série du HBM4, Samsung démontre à nouveau ses avantages technologiques uniques avec le HBM4E. Grâce à nos capacités de fabrication avancées et à nos investissements préventifs dans les infrastructures, nous continuerons à stimuler la croissance du marché mondial de la mémoire IA. »
Samsung a surfé sur la vague de la demande en mémoire pour réaliser des bénéfices records, tirant parti de la croissance de la demande des constructeurs d’infrastructures IA pour les composants mémoire. En tant que l’un des trois principaux fabricants de mémoire, Samsung a augmenté les prix des composants face à la flambée de la demande, tout en prévoyant que ses ventes de HBM tripleraient en 2026. L’entreprise sud-coréenne a remporté des commandes pour fournir du HBM4 à la prochaine plateforme Vera Rubin de Nvidia, en concurrence acharnée avec son rival SK Hynix. Le HBM4E a été dévoilé lors du GTC 2026, l’exposition annuelle de Nvidia coïncidant avec la signature d’un accord de coopération entre les deux parties sur l’innovation en ingénierie des semi-conducteurs, de la R&D et de la conception à la fabrication.
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