fr.wedoany.com Rapport : Lors du salon européen PCIM 2026 à Nuremberg, en Allemagne, plusieurs entreprises d'électronique de puissance, dont Infineon, Mitsubishi Electric, Wolfspeed et Onsemi, ont présenté leurs dernières générations de modules de puissance à semi-conducteurs à large bande interdite et leurs solutions, en mettant l'accent sur l'amélioration de l'efficacité des véhicules électriques et des systèmes d'énergie renouvelable.
Infineon Technologies a lancé son pilote de grille EiceDRIVER pour les onduleurs de traction des véhicules électriques purs. Les modèles EiceDRIVER 1EDI3040AS et 1EDI3041AS de cette série prennent en charge à la fois les IGBT et les MOSFET SiC, intégrés dans un seul circuit intégré de pilotage de grille. Ils offrent une fonction de régulation du courant de grille en temps réel, permettant d'équilibrer la vitesse de commutation et les interférences électromagnétiques (EMI), réduisant ainsi les pertes d'énergie à l'ouverture et à la fermeture grâce à un contrôle précis du processus de commutation. Parallèlement, ce circuit intégré gère le taux de variation du courant de blocage pour limiter les pics de tension destructeurs causés par l'inductance parasite, éliminant ainsi le besoin de circuits d'absorption externes encombrants.
Mitsubishi Electric et Semikron Danfoss ont développé conjointement un boîtier de module de puissance standardisé utilisant une topologie de circuit en T à trois niveaux intégrée. Ce boîtier fusionne la disposition LV100 de Mitsubishi Electric avec la géométrie SEMITRANS20 de Semikron Danfoss, assurant une compatibilité physique des produits et permettant aux fabricants d'uniformiser et de standardiser l'architecture physique de l'onduleur. La topologie à trois niveaux commute le courant continu entre trois niveaux de potentiel différents, produisant une forme d'onde de sortie plus proche d'une onde sinusoïdale pure, améliorant ainsi l'efficacité de conversion, réduisant les pertes de puissance et diminuant la taille des composants de filtrage et de contrôle périphériques.
L'Institut Fraunhofer de physique appliquée des solides (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF) a présenté un convertisseur de charge bidirectionnel monophasé compact pour véhicules électriques, utilisant un composant de puissance GaN monolithique de 1200 V. Ce système fonctionne à une fréquence de commutation élevée de 140 kHz, minimisant ainsi la taille des composants de filtrage passifs. Le démonstrateur complet (y compris la fiche) mesure 8,3 litres et pèse 5,7 kg. L'architecture intègre directement la diode de roue libre sur la puce GaN de 1200 V, éliminant les diodes anti-parallèles externes standard et limitant l'inductance de boucle parasite. Ce chargeur hors-bord de 3 kW, développé dans le cadre du projet GaN4EmoBiL, vise à combler le vide dans les topologies bidirectionnelles 800 V et peut gérer une large plage de tensions de batterie de 150 V à 920 V.
Wolfspeed a lancé sa cinquième génération de technologie MOSFET en carbure de silicium (SiC) pour les applications automobiles et industrielles 1200 V et 750 V. Par rapport aux alternatives 1200 V actuellement disponibles sur le marché, sa résistance spécifique à l'état passant (RSP) est réduite de 27 %. À 175 °C, la RSP au niveau de la puce pour le nœud 1200 V (QEM50120-25D10) est de 3,4 mΩ-cm², et pour le nœud 750 V (QEM50075-025D10), elle est de 2,0 mΩ-cm². Cette technologie limite la distribution du RDS(ON) à ±18 % pour les deux nœuds de tension.
Efficient Power Conversion (EPC) a annoncé le début de la production en série de son transistor de puissance eGaN EPC2378 25 V, optimisé pour le redressement synchrone côté secondaire des convertisseurs LLC 48 V-5 V ou 12 V. Ce composant présente une RDSon typique de 410 µΩ et un faible facteur de mérite de charge de grille, peut gérer un courant de drain continu allant jusqu'à 101 A, est conditionné dans un boîtier PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm et est équipé d'un plot thermique arrière pour améliorer les performances thermiques. Pour accélérer l'évaluation du système, EPC a également publié la carte de développement EPC90185 associée.
Onsemi a lancé sa gamme de puissance GaN GaNEXUS, proposant initialement des échantillons de composants discrets couvrant une plage de tensions de claquage de 40 V à 650 V. Cette série comprend des composants intelligents GaNEXUS 650 V intégrant des circuits de protection pour simplifier la conception. Cette gamme est conçue pour les centres de données IA et les infrastructures d'alimentation industrielle, offrant une amélioration de l'efficacité de 0,5 % à 2 % et une augmentation de la densité de puissance volumétrique de 1,5 à 2 fois, selon la topologie du circuit. La vitesse de commutation élevée permet de réduire la taille des composants magnétiques de 30 % à 60 %. Ces composants sont disponibles en boîtiers TOLL, TOLT et à double refroidissement et peuvent être interfacés avec la plateforme de contrôle Treo d'Onsemi.
