fr.wedoany.com Rapport : Samsung Electronics a remporté le titre de meilleur article lors du symposium VLSI 2026 grâce à sa technologie de transistors empilés verticalement, qui a réalisé le plus petit pas de grille de l'industrie pour ce type de transistors.

Les transistors sont des dispositifs qui amplifient ou contrôlent les signaux électriques et sont considérés comme essentiels aux performances des semi-conducteurs. Les procédés traditionnels augmentent continuellement le nombre de canaux de courant, passant de 1 à 3, puis de 3 à 4, afin de faire progresser la technologie.

Cette technologie modifie considérablement la structure des transistors, en empilant verticalement ceux qui étaient auparavant disposés à plat. Cette structure a déjà été introduite dans les semi-conducteurs de mémoire, comme le V-NAND pour la mémoire flash NAND et la mémoire à large bande passante (HBM) pour la DRAM, permettant de dépasser les limites de surface grâce à l'empilement. Elle devrait désormais être appliquée aux semi-conducteurs système. Après l'empilement vertical, la surface occupée par les transistors est réduite de moitié, et la densité d'intégration par unité de surface double théoriquement, ce qui signifie que deux fois plus de transistors peuvent être placés sur une tranche de silicium de même surface.

Avant la publication de l'article, le plus petit pas de grille de l'industrie pour les transistors empilés verticalement était de 48 nm. L'équipe de recherche de Samsung l'a réduit à 42 nm, réalisant ainsi un procédé plus fin. L'efficacité énergétique est proportionnelle au nombre de transistors par unité de surface. Comme la structure d'empilement vertical double le nombre de transistors, l'efficacité énergétique est également doublée. Les performances des procédés semi-conducteurs traditionnels augmentent généralement d'environ 15 % par génération, tandis que la structure d'empilement vertical, grâce au doublement du nombre de transistors, peut théoriquement améliorer les performances de 100 %. Cet article a obtenu un score de 8,29 sur 10 lors du symposium VLSI, se classant parmi les meilleurs parmi plus de 1 000 articles soumis, ouvrant ainsi une nouvelle voie pour les semi-conducteurs logiques de nouvelle génération.

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