Samsung Electronics envisage de recourir au procédé 3 nm de TSMC pour fabriquer les puces HBM personnalisées de NVIDIA

fr.wedoany.com Rapport : Le 18 octobre, selon des informations de l'industrie des semi-conducteurs sud-coréenne, Samsung Electronics envisage d'adopter le procédé 3 nm de TSMC pour produire les puces de base (base die) de la prochaine génération de mémoire à haute bande passante personnalisée NVHBM de NVIDIA. NVIDIA a demandé à Samsung Electronics, SK Hynix et Micron d'utiliser uniformément le procédé 3 nm de TSMC pour la fabrication des puces de base, ainsi que le procédé DRAM 1c de sixième génération à l'échelle 10 nm pour la production des puces de mémoire centrale. Samsung aurait accepté ces exigences après un examen interne, et les deux parties prévoient de collaborer pour la première fois dans la fabrication de puces HBM.

Samsung adoptait auparavant un modèle de fabrication autonome, avec sa branche de fonderie produisant les puces de base HBM et sa branche mémoire responsable de la fabrication des puces centrales. Actuellement, les produits HBM4 de Samsung ainsi que les HBM4E en cours de validation de production utilisent leur propre procédé 4 nm pour la fabrication des puces de base, tandis que les puces centrales sont produites sur les lignes DRAM 1c des usines de Hwaseong et Pyeongtaek. Selon le plan dévoilé, Samsung conservera son modèle de fabrication autonome pour les HBM standard ainsi que pour les produits personnalisés destinés à d'autres clients tels qu'AMD.

NVIDIA a lancé la technologie NVHBM le 26 août, intégrant un contrôleur de mémoire personnalisé dans la puce de base HBM. Selon l'architecture publiée, par rapport au HBM4E standard, le NVHBM offre une bande passante mémoire par pile jusqu'à 30 % supérieure, une réduction de 15 % de la consommation énergétique HBM, et permet de libérer jusqu'à 25 % de la surface de la puce de calcul XPU. NVIDIA prévoit que plusieurs fournisseurs de mémoire proposent des produits NVHBM utilisant une architecture unifiée, afin de réduire les travaux d'adaptation et de validation entre les produits de différents fabricants.

Samsung et TSMC avaient déjà collaboré sur les procédés de packaging avancé nécessaires à la connexion des HBM aux processeurs graphiques. L'arrangement de fabrication proposé étend cette coopération à la production des puces de base. Des acteurs de l'industrie des semi-conducteurs sud-coréenne révèlent également que Samsung évalue la faisabilité de fabriquer les puces de base NVHBM avec son propre procédé de fonderie 2 nm, afin de faire face à d'éventuelles contraintes de capacité d'approvisionnement des lignes de production concernées de TSMC à l'avenir.