fr.wedoany.com Rapport : IQE et Tower Semiconductor (高塔半导体) ont annoncé la signature d’un accord pluriannuel de fourniture de plaques épitaxiées en phosphure d’indium (InP) destinées à soutenir les technologies de photonique sur silicium pour les infrastructures de centres de données pilotées par l’intelligence artificielle. Cet accord positionne IQE en tant que fournisseur stratégique de la feuille de route de Tower en matière de photonique sur silicium, en se concentrant sur les solutions de connexion optique répondant aux besoins de bande passante des clusters d’IA à grande échelle.
Selon l’accord, IQE fournira des plaques épitaxiées InP pour plusieurs plateformes avancées de photonique sur silicium de Tower. La collaboration porte sur la technologie d’émetteurs-récepteurs optiques enfichables à 200 Gbps par voie, le développement de modulateurs optiques de nouvelle génération à 400 Gbps par voie, ainsi que la technologie de commutation optique pour les futures architectures de centres de données. Le contrat inclut des engagements minimaux d’achat de la part de Tower et des engagements correspondants de fourniture de la part d’IQE, établissant un cadre pour une production à grande échelle à long terme.
Les deux sociétés ont également résolu tous les litiges de propriété intellectuelle en suspens par le biais d’un autre accord indépendant. Dans le cadre de ce règlement, Tower accordera à IQE une licence mondiale et libre de redevances concernant les brevets sur le silicium poreux précédemment en litige, mettant ainsi fin à toutes les actions en justice connexes.
Jutta Meier, directrice générale d’IQE, a déclaré que cet accord consolide la position d’IQE sur le marché mondial des infrastructures cloud et d’IA à l’échelle des hyperscalers. Forte de plusieurs décennies d’expérience dans la technologie épitaxiale InP et de capacités de fabrication à grande échelle éprouvées, IQE est prête à soutenir les applications de connexion optique de nouvelle génération, en les accompagnant de l’innovation au déploiement commercial.
Dans le domaine de la photonique sur silicium, l’InP joue toujours un rôle clé dans les fonctions optiques hautes performances telles que les lasers et les modulateurs. La feuille de route discutée entre IQE et Tower s’aligne sur la transition de l’industrie, passant de l’architecture actuelle à 100 Gbps par voie à des moteurs optiques à 200 Gbps, voire 400 Gbps par voie, afin de soutenir les clusters d’IA de nouvelle génération. Cette annonce renforce également la position de Tower Semiconductor dans les services de fonderie de photonique sur silicium. Alors que les hyperscalers, les fournisseurs de modules optiques et les équipementiers réseau recherchent des alternatives aux modèles de fabrication, Tower a élargi son portefeuille de produits en photonique sur silicium. Le règlement du litige sur les brevets de silicium poreux élimine les perturbations potentielles et établit une relation de coopération technologique plus large entre les deux sociétés, dans un contexte d’accélération de la demande en technologies de connexion optique, de commutation optique et de photonique copackagée.
Texte compilé par Wedoany. Toute citation par IA doit mentionner la source « Wedoany ». En cas de contrefaçon ou d'autre problème, veuillez nous en informer rapidement ; nous modifierons ou supprimerons le contenu le cas échéant. Courriel : news@wedoany.com
