fr.wedoany.com Rapport : L’entreprise de semi-conducteurs SK Hynix a annoncé le 18 juin avoir livré en avance à ses clients des échantillons de son produit HBM4E à 12 couches, une mémoire à large bande passante (HBM) de septième génération utilisant une DRAM 1c de sixième génération gravée en 10 nanomètres.
SK Hynix a indiqué que son expérience en matière de production de masse et de fourniture de HBM3, HBM3E et HBM4 a jeté les bases de l’accélération du développement de nouveaux produits. L’entreprise garantira une production de masse dans les délais en collaborant étroitement avec ses clients clés, afin de résoudre les goulots d’étranglement de données dans les systèmes d’IA. Cette livraison d’échantillons est intervenue plus tôt que le calendrier annoncé par l’entreprise lors de la conférence téléphonique sur les résultats du premier trimestre en avril dernier, où elle avait indiqué qu’elle fournirait des échantillons de HBM4E au second semestre de cette année.
Le HBM4E offre des performances et une efficacité énergétique améliorées par rapport à la génération précédente HBM4, principalement grâce à l’amélioration des puces DRAM centrales, de l’architecture d’interface et du processus de fabrication. Ce produit est le premier à appliquer une DRAM 1c de sixième génération gravée en 10 nanomètres dans une mémoire HBM, alors que les générations précédentes (y compris HBM4) utilisaient une DRAM 1b de cinquième génération. La capacité de chaque puce centrale a été augmentée, utilisant des puces DRAM de 32 Gb (4 Go), soit une densité 50 % supérieure à celle du HBM4. L’empilement à 12 couches offre une capacité mémoire totale de 48 Go, contre 36 Go pour l’empilement à 12 couches du HBM4 utilisant des puces de 24 Gb (3 Go).
Le nombre de broches d’entrée/sortie (E/S) reste de 2 048, mais la vitesse de transmission des données par broche atteint 16 Gbit/s, soit une augmentation allant jusqu’à 45 % par rapport à la plage précédente de 11 à 13 Gbit/s. Un seul empilement offre une bande passante d’environ 4 To/s, ce qui, selon les estimations du secteur, est supérieur de 40 à 50 % à celle du HBM4. L’efficacité énergétique a également été améliorée de plus de 20 %, contribuant ainsi à renforcer les performances des charges de travail d’entraînement et d’inférence de l’IA.
SK Hynix a déclaré que le HBM4E, grâce à une interface mise à jour et à des optimisations de conception, réduit la latence de transmission des données et assure un fonctionnement stable dans des environnements de calcul à large bande passante. Ce produit devrait améliorer l’efficacité de traitement des centres de données d’IA de nouvelle génération et des systèmes de calcul à grande échelle. L’entreprise n’a pas divulgué les spécifications de la puce de base. Des sources du secteur estiment que SK Hynix utilise un processus de gravure de 3 nanomètres de TSMC pour fabriquer la puce de base du HBM4E, afin d’améliorer les performances et l’efficacité énergétique, alors que les générations précédentes de puces de base étaient fabriquées avec un processus de 12 nm de TSMC. La puce de base, en tant que couche de contrôle du HBM, est responsable des opérations de lecture/écriture des données, de la correction d’erreurs et d’autres fonctions affectant les performances et la fiabilité.
Le HBM4E utilise un procédé d’encapsulation avancé MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) pour l’empilement à 12 couches, avec un matériau de moulage époxy (EMC) aux propriétés thermiques améliorées comme adhésif entre les puces DRAM. Ce matériau est d’abord collé par un processus de refusion à haute température, puis assemblé finalement à l’aide de la chaleur et de la pression d’un système de thermocompression. SK Hynix a indiqué que, par rapport au HBM4, l’optimisation du procédé MR-MUF améliore la stabilité structurelle et réduit la résistance thermique d’environ 17 %, permettant ainsi un fonctionnement plus fiable dans des environnements de calcul haute performance.
Le président et directeur du développement (CDO) de SK Hynix, Ahn Hyun, a déclaré : « Le HBM4E intègre l’expertise technique accumulée et les capacités de fabrication de SK Hynix, jetant les bases d’un leadership continu dans l’innovation en matière d’IA. Avec nos partenaires, nous fournirons activement la valeur demandée par le marché et renforcerons notre position de leader technologique en tant que fournisseur de mémoire IA de bout en bout. »
Samsung Electronics a également livré des échantillons de HBM4E à 12 couches à ses clients le 29 mai. Ce produit est également basé sur une DRAM 1c de 32 Gb, et la puce logique de base est fabriquée avec un processus de fonderie de 4 nanomètres de Samsung. Samsung a indiqué que ce processus a atteint un rendement et une préparation à la production suffisants, et que la production de masse commencera selon le calendrier des clients. Alors que la demande de mémoire IA de nouvelle génération s’accélère, les deux entreprises devraient se livrer une concurrence active pour les contrats de production de HBM4E.
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