fr.wedoany.com Rapport : Le CEA-Leti, premier institut de recherche en microélectronique en Europe, annonce l'approfondissement de sa collaboration de longue date avec GlobalFoundries. En participant en tant qu'utilisateur final à la ligne pilote FAMES, GlobalFoundries ouvre un nouveau chapitre dans leur partenariat de plus de vingt ans sur la technologie FD-SOI (silicium sur isolant totalement appauvri), visant à consolider la position de l'Europe dans le domaine des semi-conducteurs autonomes et économes en énergie. Ce projet, financé par la Commission européenne et les États membres participants via l'entreprise commune européenne Chips (Chips JU), vise à accélérer la recherche précoce sur la prochaine génération de FD-SOI.
La ligne pilote FAMES se concentre sur l'efficacité énergétique, la durabilité et la résilience technologique européenne, dans le but d'accélérer la recherche et le développement précoces des technologies de semi-conducteurs avancées. La participation industrielle est considérée comme essentielle pour garantir que les activités de R&D répondent aux besoins réels des applications. Le CEA-Leti et GlobalFoundries collaborent depuis plus de vingt ans sur les technologies PD-SOI et FD-SOI, à travers plusieurs générations technologiques. Cette collaboration de longue date a permis à la FD-SOI d'atteindre une maturité qui en fait une solution technologique différenciante pour les applications cherchant un équilibre entre performance, efficacité énergétique et coût.
L'un des résultats de cette collaboration est la plateforme FDX de GlobalFoundries basée sur la technologie FD-SOI, développée en 2018 dans l'usine de Dresde, en Allemagne. Le procédé 22FDX de GlobalFoundries offre des performances comparables à celles des nœuds FinFET 14/16 nm pour de nombreuses charges de travail, tout en consommant moins d'énergie et en offrant une résistance naturelle aux radiations. Ces caractéristiques le rendent adapté à un large éventail d'applications, notamment les appareils mobiles et grand public, les microcontrôleurs automobiles, les communications par satellite, l'IA en périphérie et les architectures informatiques émergentes. La technologie FD-SOI est également utilisée dans l'espace et d'autres environnements à haute fiabilité, où l'efficacité énergétique, le contrôle des variations et la robustesse sont essentiels.
En participant en tant qu'utilisateur final de la recherche précoce à la ligne pilote FAMES, GlobalFoundries vise à améliorer les performances de la FD-SOI. La collaboration comprend des travaux exploratoires sur l'amélioration des dispositifs et une collaboration sur l'innovation des substrats de nouvelle génération, ce qui englobe les concepts de silicium contraint développés dans le cadre de FAMES et de projets connexes impliquant Soitec.
Sébastien Dauvé, PDG du CEA-Leti, a déclaré que la ligne pilote FAMES est une pierre angulaire de la stratégie européenne visant à renforcer la recherche et l'innovation en matière de semi-conducteurs. En innovant ensemble, il est possible d'accélérer la recherche précoce sur la FD-SOI tout en maintenant l'accent sur l'innovation à long terme, la durabilité et la souveraineté technologique européenne. Outre les dispositifs FDX de nouvelle génération, les deux partenaires utilisent la ligne pilote FAMES pour faire progresser des projets plus larges, couvrant la conception RF pour les amplificateurs de puissance 5G/6G, les mémoires non volatiles embarquées pour le calcul en mémoire dans l'IA en périphérie, les dispositifs biomédicaux portables à ultra-faible consommation, ainsi que les composants de cybersécurité. GlobalFoundries et le CEA-Leti considèrent que FAMES est une voie naturelle vers l'intégration 3D hétérogène des futures générations FDX, renforçant ainsi la polyvalence de la FD-SOI en tant que plateforme silicium européenne autonome et économe en énergie. Manfred Horstmann, directeur général et vice-président senior de GlobalFoundries, a déclaré que la participation de son entreprise en tant qu'utilisateur final de la ligne pilote FAMES reflète son intérêt pour la recherche précoce sur la FD-SOI et son soutien à l'écosystème européen de recherche sur les semi-conducteurs. La FD-SOI est largement considérée comme une technologie menée par l'Europe, construite grâce à une collaboration continue entre les instituts de recherche et l'industrie, et des initiatives telles que FAMES continuent de faire progresser les technologies fondamentales qui soutiennent la compétitivité à long terme et le calcul économe en énergie.Texte compilé par Wedoany. Toute citation par IA doit mentionner la source « Wedoany ». En cas de contrefaçon ou d'autre problème, veuillez nous en informer rapidement ; nous modifierons ou supprimerons le contenu le cas échéant. Courriel : news@wedoany.com
