Corée du Sud Ingénierie des circuits intégrés
Samsung prévoit une hausse de 20 % du prix de vente des DRAM au troisième trimestre
Samsung prévoit d'augmenter d'environ 20 % le prix de vente moyen des DRAM génériques par rapport au...
2026-07-07
Samsung et SK Hynix retardent l’introduction de la technologie de liaison hybride pour la HBM
Samsung Electronics et SK Hynix réévaluent leurs plans d’introduction de la technologie de liaison h...
2026-07-07
Samsung Electro-Mechanics et Dongwoo Fine-Chem, filiale du groupe japonais Sumitomo Chemical, créent une coentreprise de 480 milliards de wons dédiée au verre central pour l'emballage des semi-conducteurs de nouvelle génération
Samsung Electro-Mechanics et Dongwoo Fine-Chem, filiale du groupe japonais Sumitomo Chemical, ont si...
2026-07-06
SK Hynix lance un programme de coopération gagnant-gagnant de 1 400 milliards de wons sur cinq ans
SK Hynix a annoncé qu’il investira 1 400 milliards de wons au cours des cinq prochaines années pour ...
2026-07-06
Le syndicat de Samsung propose une réunion tripartite sur le projet de complexe de semi-conducteurs de 800 000 milliards de wons en Corée du Sud
La section Samsung Electronics du syndicat supra-entreprise du groupe Samsung (Samsung Electronics C...
2026-07-06
Le président sud-coréen Lee Jae-myung exhorte à accélérer le lancement du mégaprojet de puces électroniques
Le président sud-coréen Lee Jae-myung a ordonné lundi aux responsables de lancer rapidement des méga...
2026-07-06
Samsung et Anthropic discutent d'une coopération sur les puces IA en 2 nm et l'emballage avancé
Samsung Electronics discute avec la société nord-américaine d'intelligence artificielle Anthropic po...
2026-07-06
SK Hynix lance une émission d’ADR de 29,4 milliards de dollars sur le Nasdaq pour étendre sa production de mémoire IA
SK Hynix a lancé sur le Nasdaq un programme d’introduction en bourse d’American Depositary Receipts ...
2026-07-06
Intel valide l'EMIB-T à 36 µm, le HBM personnalisé de Marvell réduit de 60 % la surface de la puce
Alors que le ralentissement de la mise à l'échelle de la densité des transistors se poursuit, l'enca...
2026-07-04
Samsung dévoile un taux de rendement de plus de 70 % pour le HBM4E et les progrès du procédé D1d
Le 30 juin, le directeur technique de Samsung Electronics et directeur de l’Institut des semi-conduc...
2026-07-04
Le futur accélérateur MTIA de Meta confié à Samsung pour une gravure en 2 nm
Le futur accélérateur IA maison MTIA de Meta, puce dédiée à l’IA, devrait être confié à la fonderie ...
2026-07-04
Samsung SDS prévoit de tester la technologie de simulation lithographique par calcul quantique au second semestre 2026
Samsung SDS, la filiale informatique de Samsung, développe une technologie combinant le calcul quant...
2026-07-04
LG investit 9 400 milliards de wons d'ici 2030 dans la région de Yeongnam pour développer des technologies telles que le refroidissement de l'IA
Pour répondre aux besoins de l'infrastructure d'intelligence artificielle (IA) et de l'ère de l'IA p...
2026-07-04
Samsung Electronics et SK Hynix affichent des résultats historiques au premier semestre
Samsung Electronics et SK Hynix ont enregistré les meilleures performances de leur histoire au premi...
2026-07-04
Panecia et Meta valident les performances du CXL dans les centres de données à l'ISCA 2026
Panecia et Meta ont respectivement dévoilé les résultats de validation du CXL (Compute Express Link)...
2026-07-04