fr.wedoany.com Rapport : La société américaine de semi-conducteurs Wolfspeed lance sa cinquième génération de plateforme MOSFET en carbure de silicium (SiC), destinée aux systèmes d'alimentation automobile et industriels de nouvelle génération à 1200 V et 750 V, visant à réduire la résistance spécifique à l'état passant (RSP) et à améliorer les performances à haute température. Par rapport aux solutions SiC 1200 V concurrentes existantes, cette nouvelle technologie permet de réduire la RSP jusqu'à 27 %, diminuant directement les pertes de conduction, aidant ainsi les concepteurs de systèmes à améliorer la capacité de courant, à optimiser le rendement des onduleurs et à réduire la taille globale.
Les deux premiers composants lancés sont le modèle 1200 V QEM50120-025D10 et le modèle 750 V QEM50075-025D10. Le composant 1200 V atteint une RSP au niveau de la puce de 3,4 mΩ-cm² à 175 °C, tandis que la version 750 V atteint 2,0 mΩ-cm² à la même température. Les deux niveaux de tension spécifient une distribution stricte de RDS(ON) de ±18 %, contribuant à réduire les exigences de marge de conception dans les systèmes haute performance.
Les nouveaux MOSFET sont adaptés aux onduleurs de traction des véhicules électriques, aux chargeurs embarqués, aux infrastructures de recharge rapide, aux alimentations industrielles et aux systèmes de protection à semi-conducteurs. Des pertes de conduction et de commutation plus faibles peuvent améliorer l'autonomie des véhicules, réduire la taille du système de refroidissement et augmenter la densité de puissance ; dans les plateformes de véhicules électriques, cela permet une conception d'onduleur plus compacte et pourrait également réduire les besoins en taille de batterie pour une autonomie donnée.
Les composants Gen 5 conservent la structure de diode à corps mou introduite dans la génération précédente, tout en étendant la température de jonction continue maximale à 200 °C, avec une durée de vie limitée pouvant atteindre 215 °C. Cette combinaison améliore le comportement de recouvrement inverse et les performances globales de commutation, tout en soutenant la fiabilité à long terme du système dans des environnements exigeants. La production repose sur la plateforme de fabrication SiC de 200 mm de Wolfspeed à son usine de Mohawk Valley, dans l'État de New York. La nouvelle génération de produits a été conçue et certifiée, prête à être produite en série en utilisant l'infrastructure existante rapidement déployable, permettant aux clients de passer de la validation de conception à la production sans nécessiter de nouveaux outils de fabrication.
Les premiers échantillons de composants Gen 5, QEM50120-025D10 et QEM50075-025D10, sont désormais disponibles pour certains clients, et davantage de produits 750 V et 1200 V devraient être lancés entre 2026 et début 2027.
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